一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用技术

本发明专利技术公开一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用，属于电极技术领域；光电极制备过程包括：将n‑GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将Co(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;、NaIO<subgt;3</subgt;和甲醇混合配置成溶液A，然后将n‑GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;纳米粒子的n‑GaN晶圆样品；将Na<subgt;2</subgt;SO<subgt;3</subgt;水溶液与CuSO<subgt;4</subgt;水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;纳米粒子的n‑GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极；将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型，得益于合理的Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;/Cu<subgt;2</subgt;O装饰，在365nm光照下实现了的高响应和快速响应/恢复时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电极，具体涉及一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用。

技术介绍

1、紫外光探测器以其节能、小型化、高集成度等优点在环境监测、生物医学、智能光电器件等领域受到广泛关注。随着军用和民用对高集成度、多功能化光探测的需求日益增长，高性能、小型化、低维紫外pd已成为一个新的探测热点。近年来，各种基于zno、zns、nio、和gan等材料的uv pd得到了研究。其中，gan由于其优越的性能，如固有的紫外光敏性合适的禁带、高载流子迁移率以及良好的化学和热稳定性被认为是开发高性能uv pd的有希望的候选者，在紫外光探测领域具有广阔的发展前景。

2、因此，迫切需要找到一种简单的方法来提高氮化镓基光电极的载流子移动效率。半导体器件载流子动力学操纵的研究主要有两个活跃的领域，一方面，大量的研究集中在探索半导体中的新结构，无论是采用半导体异质结还是量子结构，如量子阱/点/线来限制或调节载流子输运行为。更重要的是，另一方面，如何控制半导体表面与其周围环境之间的相互作用，即控制半导体材料的界面物理化学性质和界面载流子行为，对于进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，配置溶液A时，Co(NO3)2与NaIO3的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，Co(NO3)2、NaIO3与甲醇的体积比为1:1:3。

4.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，Na2SO3与CuSO4的摩尔比为1:1。

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【技术特征摘要】

1.一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，配置溶液a时，co(no3)2与naio3的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，co(no3)2、naio3与甲醇的体积比为1:1:3。

4.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，na2so3与cuso4的摩尔比为1:1。

5.根据权利要求1所述的一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，所述naoh溶液的浓度为10mg/ml。

6.根据权利要求1所述的一种增强光电流的...

【专利技术属性】
技术研发人员：智婷，王汉成，赵强，汪金，薛俊俊，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：