一种全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，所述探测器包括底电极、空穴阻挡层1、空穴阻挡层2、光敏层、设置在光敏层与阳极之间的电子传输层及顶电极；其中，除底电极外，所有层均采用真空热蒸镀沉积法制备，其中，所述空穴阻挡层1的HOMO能级低于空穴阻挡层2的HOMO能级，所述光敏层中给体材料与空穴阻挡层满足如下关系：H<subgt;d</subgt;‑H<subgt;b</subgt;≥1.2eV；其中，H<subgt;d</subgt;表示光敏层中给体材料的HOMO能级，H<subgt;b</subgt;表示空穴阻挡层材料的HOMO能级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电器件，更具体的，涉及一种全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片。

技术介绍

1、有机光谱探测芯片是一种将光信号转换为电信号的器件，具有重量轻、成本低、可柔性设计等显著优势，广泛应用于健康监测、光通信、图像传感以及工业自动化等多个领域。然而，传统的有机光电二极管探测器在弱光条件下的外量子效率(eqe)通常低于100％，导致其在低光强环境中的光电响应不足，通常需要外部放大装置来提升信号强度。这不仅增加了系统的复杂性，还对实现器件的轻量化、小型化和高集成度设计构成了挑战。

2、为了解决这一问题，近年来，研究者们提出通过光电倍增效应来提高有机光谱探测芯片的eqe，从而增强探测灵敏度。光电倍增效应的原理是通过限制光生载流子的运动，为每个入射光子产生多个载流子提供条件，实现超越100％的eqe。利用这一效应，有机光谱探测芯片能够在低光强度下有效探测光信号，拓宽其在生物成像、远程光通信等领域的应用前景。

3、为实现光电倍增效应，目前常用的技术方法包括：调节有机材料中的给体-受体比例、掺入特定的掺杂剂、采用量子点或纳米颗粒来捕捉载流子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述探测器包括底电极，空穴阻挡层1，空穴阻挡层2，光敏层，电子传输层，顶电极；

2.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述空穴阻挡层1的HOMO能级与空穴阻挡层2的HOMO能级，还满足如下关系：H2-H1≥1.6eV。

3.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述空穴阻挡层的材料包括但不限定NTCDA、HATNA-Cl6、HAT(CN)6、C60几种中的一种。

4.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述探测器包括底电极，空穴阻挡层1，空穴阻挡层2，光敏层，电子传输层，顶电极；

2.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述空穴阻挡层1的homo能级与空穴阻挡层2的homo能级，还满足如下关系：h2-h1≥1.6ev。

3.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述空穴阻挡层的材料包括但不限定ntcda、hatna-cl6、hat(cn)6、c60几种中的一种。

4.根据权利要求1所述的全蒸镀制备的倍增型有机光谱探测芯片，其特征在于：所述给体材料采用包括但不限定znpc、cupc几种p型半导体中的一种。

5.根据权利要求1所述的全蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵刚，
申请(专利权)人：智感光芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：