具有带有用于电力输送的加宽端部的过孔的集成电路设备制造技术

IC设备可以包括用于向IC设备中的一个或多个晶体管输送电力的一个或多个过孔。过孔可以具有一个或多个加宽端部以增加电容并减小电阻。晶体管可以包括源极区域上方的源电极和漏极区域上方的漏电极。源极区域或漏极区域可以在具有一种或多种半导体材料的支撑结构中。过孔具有主体区段和两个端部区段，主体区段在端部区段之间。一个或两个端部区段比主体区段宽，例如宽约6纳米至约12纳米。一个端部区段连接到支撑结构的背面处的互连。另一端部区段连接到跳线，该跳线连接到源电极或漏电极。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、集成电路(ic)制造通常包括两个阶段。第一阶段被称为前段制程(feol)。第二阶段被称为后段制程(beol)。在feol中，可以将各个半导体设备部件(例如，晶体管、电容器、电阻器等)图案化在晶圆上。在beol中，可以形成金属层、过孔和绝缘层以使各个部件互连。beol通常开始于在晶圆上形成第一金属层。第一金属层通常被称为m0。可以在m0的顶部上形成更多的金属层，并且这些金属层通常被称为m1、m2等。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种集成电路(IC)设备，包括：

2.根据权利要求1所述的IC设备，其中，所述第二区段的尺寸在从约16纳米至约32纳米的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的IC设备，其中，所述第一区段的尺寸在从约10纳米至约20纳米的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的IC设备，其中，所述第一区段的尺寸与所述第二区段的尺寸之间的差在从约6纳米至约12纳米的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的IC设备，其中，在所述第二方向上从所述第二区段的边缘到所述第一区段的边缘的距离在从约3纳米至约6纳米的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的IC设...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路(ic)设备，包括：

2.根据权利要求1所述的ic设备，其中，所述第二区段的尺寸在从约16纳米至约32纳米的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，所述第一区段的尺寸在从约10纳米至约20纳米的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，所述第一区段的尺寸与所述第二区段的尺寸之间的差在从约6纳米至约12纳米的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，在所述第二方向上从所述第二区段的边缘到所述第一区段的边缘的距离在从约3纳米至约6纳米的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，所述第二区段在所述第一方向上的尺寸在从约5纳米至约10纳米的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，所述第二区段的边缘与所述第一区段的边缘之间的角度在从约45度至约75度的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的ic设备，还包括：

9.根据权利要求1或2所述的ic设备，其中，第二导电结构至少部分地在所述支撑结构中。

10.根据权利要求1或2所述的ic设备，还包括：

11.一种集成电路(ic)设备，包括：

12.根据权利要求11所述的ic设备，还包括：

13.根据权利要求12所述的ic设备，其中，所述晶体管的电极在所述半导体结构的一部分上方。

14.根据权利要求12或13所述的ic设备，其中，所述晶体管还包括附加电极，所述附加电极耦合到接地平面。

15.根据权利要求11-13中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·马林科维奇，B·克里格尔，P·阿明，D·N·鲁伊斯阿马多尔，T·雅克鲁，M·阿布德埃尔卡迪尔，T·拉赫曼，X·杨，C·P·普尔斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：