【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置中，为了保护布线层、电极等金属部分，进行利用聚酰亚胺树脂等保护树脂膜覆盖金属部分的处理。
2、为了防止在半导体装置的切割工序中产生碎屑、灰尘，通常预先去除切割线上的保护树脂膜。但是，由于曝光发生位置偏移等，有时甚至将覆盖金属部分的侧面的保护树脂膜去除。在这样的情况下，浸入到半导体装置的水分、离子等异物容易到达金属部分，成为半导体装置的可靠性降低的原因。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：半导体部，具备第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；表面构造部，设置于所述第一主面，包含第一电极；第二电极，设置于所述第二主面；第一保护树脂膜，覆盖所述表面构造部的上表面；以及第二保护树脂膜，与所述第一保护树脂膜连接，覆盖所述表面构造部的侧面。>
2、根据本专本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，还具备：
9.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
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