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IC设备可以包括用于向IC设备中的一个或多个晶体管输送电力的一个或多个过孔。过孔可以具有一个或多个加宽端部以增加电容并减小电阻。晶体管可以包括源极区域上方的源电极和漏极区域上方的漏电极。源极区域或漏极区域可以在具有一种或多种半导体材料的支撑...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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