用于半导体封装的嵌入式有机桥部件制造技术

提供了用于半导体封装的嵌入式有机桥部件的架构和工艺流程。衬底封装制造的大部分可以使用传统的处理步骤来完成，以满足具有相关联的装备和洁净室协议的芯几何形状(例如，9/12)。单独地，有机桥部件被制造成在需要高速输入/输出(I/O)性能和高密度(HD)几何形状的位置嵌入到衬底封装中。有机桥部件是根据需要制造的，以满足HD几何形状(例如，3/3或更小)。在组装期间，嵌入式有机桥部件可以附接到衬底封装中的腔中。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、对形状因子小型化和为高性能而对集成水平提高的需求正在推动半导体行业中复杂的封装途径。半导体封装中的管芯之间的也提供期望的带宽的可靠连接呈现了技术挑战。因此，期望对支持高速信令和小型化的半导体封装架构和方法进行持续改进。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种衬底封装，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第二RDL还提供在所述第二导电接触部中的第三第二导电接触部与所述第三导电接触部中的第二第三导电接触部之间的电路径的至少部分。

3.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料相同。

4.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料不同。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的衬底封装，还包括第一横向的玻璃层，所述第一横向的玻璃层在所述第一区域中具有穿玻璃过孔(TGV)。

6.根据权利要求5所述的衬底封装...

【技术特征摘要】

1.一种衬底封装，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第二rdl还提供在所述第二导电接触部中的第三第二导电接触部与所述第三导电接触部中的第二第三导电接触部之间的电路径的至少部分。

3.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料相同。

4.根据权利要求1所述的衬底封装，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料不同。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的衬底封装，还包括第一横向的玻璃层，所述第一横向的玻璃层在所述第一区域中具有穿玻璃过孔(tgv)。

6.根据权利要求5所述的衬底封装，其中，所述第一横向的玻璃层的厚度在100微米+/-10％至1.5毫米+/-10％的范围内。

7.根据权利要求5所述的衬底封装，还包括第二玻璃层，所述第二玻璃层在所述第二区域中具有穿玻璃过孔。

8.根据权利要求5所述的衬底封装，其中，所述第一横向的玻璃层在所述第二区域之下延伸，并且还包括：

9.根据权利要求8所述的衬底封装，还包括第二玻璃层，所述第二玻璃层在所述第二区域中具有穿玻璃过孔。

10.根据权利要求1所述的衬底封装，还包括所述第一rdl中的横向的环氧材料层。

11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·埃克顿，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：