【技术实现步骤摘要】
本说明书实施例涉及半导体器件制造,尤其涉及一种晶圆贴膜方法及装置。
技术介绍
1、在半导体器件制造
,在对晶圆进行正面化镀工艺之前,通常需要在晶圆的背面贴上保护膜,以防止化镀液在作业过程中污染晶圆的背面。
2、但是,现有的晶圆贴膜方法非常容易发生化镀液渗透以及保护膜脱落的情况。
技术实现思路
1、本说明书实施例提供一种晶圆贴膜方法及装置,能够显著降低化镀工艺中晶圆保护膜脱落的可能性,有效改善化镀液渗透问题。
2、首先,本说明书实施例提供一种晶圆贴膜方法,包括:
3、提供晶圆保护膜,所述晶圆保护膜的尺寸大于晶圆的尺寸;
4、放置所述晶圆保护膜,使所述晶圆保护膜的边缘区域的形态与所述晶圆的不需保护表面相匹配;
5、放置所述晶圆,使得所述晶圆的不需保护表面与所述晶圆保护膜的边缘区域相贴;
6、进行贴膜处理,使所述晶圆保护膜贴合所述晶圆的需保护表面,以及所述不需保护表面。
7、可选地,所述晶圆为内凹形态,晶圆
...【技术保护点】
1.一种晶圆贴膜方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述晶圆为内凹形态,晶圆的需保护表面为晶圆的内凹表面,不需保护表面为与所述内凹表面连通的外表面;其中,所述外表面包括与所述内凹表面连通的侧壁上表面以及侧壁外侧面。
3.根据权利要求2所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述放置所述晶圆保护膜,使所述晶圆保护膜的边缘区域的形态与所述晶圆的不需保护表面相匹配包括:
4.根据权利要求3所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述将所述晶圆保护膜放置为内凹状态,且所述晶圆保护膜的内凹方向与晶圆的需保护表面的内凹方
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆贴膜方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述晶圆为内凹形态,晶圆的需保护表面为晶圆的内凹表面,不需保护表面为与所述内凹表面连通的外表面;其中,所述外表面包括与所述内凹表面连通的侧壁上表面以及侧壁外侧面。
3.根据权利要求2所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述放置所述晶圆保护膜,使所述晶圆保护膜的边缘区域的形态与所述晶圆的不需保护表面相匹配包括:
4.根据权利要求3所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述将所述晶圆保护膜放置为内凹状态,且所述晶圆保护膜的内凹方向与晶圆的需保护表面的内凹方向相对,使得所述晶圆保护膜的边缘区域的形态与所述晶圆的不需保护表面相匹配,包括:
5.根据权利要求3所述的晶圆贴膜方法,其特征在于,所述放置所述晶圆,使得所述晶圆的不需保护表面与所述晶圆保护膜的边缘区域相贴包括:
6.根据权利要求1所述的晶圆贴膜方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈聪,郭东谕,李平,李扬,宋喆宏,
申请(专利权)人:浙江创芯集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:
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