一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，所述高选比蚀刻液由氢氟酸1~10%，有机酸10~50%，螯合剂0.5~5%，阳离子表面活性剂0.01~0.5%，余量为水。其中有机酸可有效减少体系中F‑含量，抑制IGZO的蚀刻速率，从而提高蚀刻液对HfO2的选择性蚀刻。螯合剂可与有机酸作为协同酸体系，进一步提高Hf4+的溶解能力。本发明专利技术所诉的高选比蚀刻液HfO2/IGZO选择比均超过最高到达4.1，HfO2蚀刻速率可达11Å/s。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种hfo2/igzo高选比蚀刻液及其制备方法与应用。

技术介绍

1、氧化物半导体薄膜晶体管( tfts )具有高迁移率、高电导率和高可见光透过率，为硅基或有机tfts的替代提供了一个方向。由于zn基矿物丰富，相比于in基材料成本较低，zn氧化物材料更受研究者青睐。目前已有使用zno、igzo、或in-ga-zno-igzo作为有源沟道材料，相应的zn氧化物材料需要高介电常数材料作为对应的栅介质。氧化铪具有与传统栅介质sio2和sioxny相当的物理栅氧化层厚度，可显著降低栅漏电，同时还具有较高的势垒高度，使其介电常数较高和漏电流较低，是替代sio2和sioxny作为栅介质最有前途的材料之一。为达到显示屏透光率达到85%以上，开启时从两侧均能观察到发光，需要采用高透光率的透明电极和透明tft。此类器件的各种透明氧化物需要低刻蚀损伤和可靠的图形转移，且其沟道层厚度小于几十纳米，这对刻蚀工艺提出了更高的要求。此外，用于氧化物半导体和电介质材料刻蚀的传统湿法刻蚀化学已经无法提供必要的选择性和刻蚀速率。因此，对氧化物半导体和电介质材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，其特征在于：所述高选比蚀刻液由氢氟酸1~10%，有机酸10~50%，螯合剂0.5~5%，阳离子表面活性剂0.01~0.5%，余量为水。

2.根据权利要求1所述的一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，其特征在于：所述有机酸为磷酸二辛酯、二(2,4,4-三甲基戊基)二硫代次膦酸（Cyanex301）和双(2,4,4-三甲基戊基)膦酸（Cyanex272）中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，其特征在于：所述螯合剂为L-天冬氨酸、苹果酸和二甘醇酸中的任一种。

4.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种hfo2/igzo高选比蚀刻液，其特征在于：所述高选比蚀刻液由氢氟酸1~10%，有机酸10~50%，螯合剂0.5~5%，阳离子表面活性剂0.01~0.5%，余量为水。

2.根据权利要求1所述的一种hfo2/igzo高选比蚀刻液，其特征在于：所述有机酸为磷酸二辛酯、二(2,4,4-三甲基戊基)二硫代次膦酸（cyanex301）和双(2,4,4-三甲基戊基)膦酸（cyanex272）中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种hfo2/igzo高选比蚀刻液，其特征在于：所述螯合剂为l-天冬氨酸、苹果酸和二甘醇酸中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种hfo2/igzo高选比蚀刻液，其特征在于：所述阳离子表面活性剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玥，贺兆波，张庭，欧阳克银，钟昌东，叶瑞，张演哲，黄锣锣，黎鹏飞，郑秋曈，高楒羽，张宗萍，雷康乐，尉鹏，李文飞，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：