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本发明提供一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，所述高选比蚀刻液由氢氟酸1~10%，有机酸10~50%，螯合剂0.5~5%，阳离子表面活性剂0.01~0.5%，余量为水。其中有机酸可有效减少体系中F‑含量，抑制IGZO的蚀刻速率，从而提高蚀刻...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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