【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于套刻精度补偿的方法、设备和介质。
技术介绍
1、随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小。晶圆制造工艺是将各层图案通过光刻工艺将不同层的版图或掩模版上的图案以一定的缩小比例精准地转移到晶圆上。具体地，芯片的器件和结构可以通过生成工艺逐层形成。在晶圆制造过程中，对不同堆叠（stack）层（也称为不同膜层）之间套刻（overlay）精度的要求也越来越高。如果当前层中的图形与前层中的图形没有对准或者对准精度较差，则会影响集成电路芯片的正常工作，严重时甚至导致集成电路芯片的报废。
技术实现思路
1、在本公开的第一方面中，提供了一种用于套刻精度补偿的方法。在该方法中，获取与第一批次晶圆对应的第一套刻精度图；基于针对第一批次晶圆的补偿最优值和反馈权重的多个候选权重值，确定针对第一批次晶圆的多个套刻精度反馈值；以及基于多个套刻精度反馈值和第一套刻精度图，确定反馈权重的目标权重值，以用于针对第一批次...
【技术保护点】
1.一种用于套刻精度补偿的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述多个套刻精度反馈值包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述反馈权重的目标权重值包括：
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，从所述多个候选权重值中确定所述目标权重值包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一套刻精度图是通过以下方式确定的：
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，确定所述第一差异包括：p>
8.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种用于套刻精度补偿的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述多个套刻精度反馈值包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述反馈权重的目标权重值包括：
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，从所述多个候选权重值中确定所述目标权重值包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一套刻精度图是通过以下方式确定的：
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全智芯上海技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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