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根据本公开的实施例提供了用于套刻精度补偿的方法、设备和介质。在该方法中,获取表征某一批次晶圆在曝光前的套刻精度分布的套刻精度图。基于该批次晶圆所使用的补偿最优值,确定该批次晶圆与多个候选权重值对应的多个套刻精度反馈值。随后,基于对应于该批次...该专利属于全智芯(上海)技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过全智芯(上海)技术有限公司授权不得商用。
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根据本公开的实施例提供了用于套刻精度补偿的方法、设备和介质。在该方法中,获取表征某一批次晶圆在曝光前的套刻精度分布的套刻精度图。基于该批次晶圆所使用的补偿最优值,确定该批次晶圆与多个候选权重值对应的多个套刻精度反馈值。随后,基于对应于该批次...