仿真模型及其生成方法、仿真方法、电子设备及存储介质技术

技术编号:46463904 阅读:10 留言:0更新日期:2025-09-23 22:27
本公开的实施例涉及仿真模型及其生成方法、仿真方法、电子设备及存储介质。该方法包括:基于预定的全局工艺角的位置及全局工艺角各自的目标参数之间的相关性确定伪全局工艺角的位置,伪全局工艺角用于辅助界定仿真对象的电学特性分布范围;基于全局工艺角和伪全局工艺角各自位置处的目标参数的值分别调整与各个目标参数对应的工艺角模型参数,以使各个目标参数的仿真值分别与相应的目标参数的目标值一致;基于各个调整的工艺角模型参数确定仿真模型的模型参数,以生成仿真模型。本公开的技术方案能够提高MC仿真的精确性。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例主要涉及集成电路,并且更具体地,涉及仿真模型及其生成方法、仿真方法、电子设备及存储介质


技术介绍

1、设计工艺协同优化(design technology co-optimization,简称dtco)在做新工艺开发中越来越受到业界的关注,通常在开发新工艺时采用半导体工艺器件仿真(technology computer aided design,简称tcad)进行工艺和器件的仿真以得到器件的电学特性。

2、tcad采用的有限元法的方法需要产生大量的网格求解离散方程,这使其仿真较大规模的电路显得不切实际。因此将tcad的电学仿真结果通过集成电路增强模拟程序(simulation program with integrated circuit emphasis,简称spice)模型进行拟合,得到spice模型进行ppa(performance,process,area,即性能、工艺、区域)仿真验证甚至电路级别的仿真验证就显得十分必要。也就是说,tcad用于前期工艺仿真得到器件的特性,后期需要进行spice级别的电路仿真。如何实现tc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种仿真模型的生成方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述预定的全局工艺角包括典型工艺角、快N快P工艺角、慢N慢P工艺角,并且所述确定伪全局工艺角的位置包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其中基于以下公式确定伪全局工艺角的位置:

4.根据权利要求1所述的方法,其中基于各个调整的工艺角模型参数确定权重系数包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其中基于各个调整的工艺角模型参数确定权重系数包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其中对所述初始矩阵进行标准化处理包括:

7.根据权利要求5所述的方法,其中确定所...

【技术特征摘要】

1.一种仿真模型的生成方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述预定的全局工艺角包括典型工艺角、快n快p工艺角、慢n慢p工艺角,并且所述确定伪全局工艺角的位置包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其中基于以下公式确定伪全局工艺角的位置:

4.根据权利要求1所述的方法,其中基于各个调整的工艺角模型参数确定权重系数包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其中基于各个调整的工艺角模型参数确定权重系数包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其中对所述初始矩阵进行标准化处理包括:

7.根据权利要求5所述的方法,其中确定所述标准化矩阵的协方差矩阵包括:

8.根据权利要求5所述的方法,其中基于各个所述权重系数的组合确定所述仿真模型的模型参数包括:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:全智芯上海技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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