静态随机存取存储器、栅极结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种静态随机存取存储器、栅极结构及其形成方法，栅极结构的形成方法通过先执行第一刻蚀工艺，在硬掩模层上沿第一方向形成第一开口图案，第一开口图案用于形成栅极结构；接着执行第二刻蚀工艺，在硬掩模层上沿第二方向形成第二开口图案，第二开口图案用于切割栅极结构；再执行第三刻蚀工艺，去除硬掩模层中的氧化层；最后执行第四刻蚀工艺，以硬掩模层中的无定形碳层为掩模，刻蚀多晶硅材料层，以形成栅极结构。本发明专利技术使用了LELE工艺架构以及采用无定形碳层和氧化层作为硬掩模层的技术方案，硬掩模层中的氧化层有效保护无定形碳层，以及LELE工艺架构可以很好地控制栅极端头的形状，降低了栅极结构的漏电问题，以使SRAM的最小电压能够达标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种静态随机存取存储器、栅极结构及其形成方法。

技术介绍

1、某些产品需要使用大面积的静态随机存取存储器(static random-accessmemory，sram)，静态随机存取存储器的存储单元(bit cell)大小直接影响工艺平台的ppa(performance、power、area，性能、功率、面积)竞争力，所以往往需要微缩(shrinked)sram设计。由于sram的shrinked设计，对制程工艺有较高要求，特别是栅极(poly)部分工艺流程。图1是现有技术中的单步刻蚀形成的栅极结构sem图。使用现有工艺，微缩sram中的栅极结构11a的端头(poly head)会有圆角(rounding)和凹陷(pitting)问题，使得器件漏电过高，sram的最小电压(vmin)无法达标。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种栅极结构及其形成方法，以解决微缩sram中的栅极结构的端头会有圆角和凹陷问题，使得器件漏电过高，sram的最小电压无法达标中的至少一个问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第一刻蚀工艺之前，包括：

3.根据权利要求2所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第一刻蚀工艺之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化的第一光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第二刻蚀工艺之前，包括：

5.根据权利要求4所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第二刻蚀工艺之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化的第二光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的栅极结构的形成...

【技术特征摘要】

1.一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第一刻蚀工艺之前，包括：

3.根据权利要求2所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第一刻蚀工艺之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化的第一光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第二刻蚀工艺之前，包括：

5.根据权利要求4所述的栅极结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第二刻蚀工艺之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化的第二光刻胶层。

【专利技术属性】
技术研发人员：李业超，黄仁德，张可，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：

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