一种铜互联结构的形成方法技术

一种铜互联结构的形成方法，包括：步骤S1:提供半导体衬底，半导体衬底形成有通孔以及沟槽；步骤S2:沉积第一铜金属层，第一铜金属层覆盖半导体衬底表面并沉积在沟槽以及通孔内；步骤S3:在第一铜金属层上沉积铜掺镧合金层，沟槽内的铜掺镧合金层不超过沟槽表面；步骤S4:在铜掺镧合金层上沉积第二铜金属层；步骤S5:对半导体衬底进行热退火处理。本申请提供一种铜互联结构的形成方法，依次沉积第一铜金属层、铜掺镧合金层以及第二铜金属层，并使用热退火处理让镧进一步的扩散，通过在铜中添加稀土金属镧降低电阻并提高导热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，尤其涉及一种铜互联结构的形成方法。

技术介绍

1、在集成电路工艺中，互连技术是在集成化电路表面沉积金属薄膜并进行电路布线，把两个或多个电路元件按一定要求连接在一起的技术。铜具有比铝更强的抗电迁移能力以及更高的电导率，并随着cmp的发展，铜互连工艺逐渐替代铝互连工艺被广泛用于先进集成电路后段制备。

2、因此，为了满足集成电路发展所带来的性能需求，互连线宽不断缩小，将会带来rc延迟升高、抗电迁移、介质击穿、应力迁移等诸多可靠性问题，亟需一种能够提高铜的导电性以及导热能力的铜互联结构。

技术实现思路

1、本申请提供一种铜互联结构的形成方法，依次沉积第一铜金属层、铜掺镧合金层以及第二铜金属层，并使用热退火处理让镧进一步的扩散，通过在铜中添加稀土金属镧降低电阻并提高导热性。

2、本专利技术的其他目的和优点可以从本专利技术所揭露的技术特征中得到进一步的了解。

3、为达上述之一或部分或全部目的或其他目的，本专利技术提供一种铜互联结构的形成方法。</p>

4、一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述铜掺镧合金组成按质量百分比为：铜99.85％-99.95％，镧系稀土金属0.05％-0.15％；

3.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，在进行步骤S2之前，先沉积一层屏障层；

4.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述热退火处理中的保温时间为60min。

5.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，通过电化学镀工艺沉积第一铜金属层以及铜掺镧合金层上的第二铜金属层...

【技术特征摘要】

1.一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述铜掺镧合金组成按质量百分比为：铜99.85％-99.95％，镧系稀土金属0.05％-0.15％；

3.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，在进行步骤s2之前，先沉积一层屏障层；

4.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述热退火处理中的保温时间为60min。

5.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，通过电化学镀工艺沉积第一铜金属层以及铜掺镧合金层上的第二铜金属层。

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林江源，李秋茂，林昭宏，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：