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一种铜互联结构的形成方法，包括：步骤S1:提供半导体衬底，半导体衬底形成有通孔以及沟槽；步骤S2:沉积第一铜金属层，第一铜金属层覆盖半导体衬底表面并沉积在沟槽以及通孔内；步骤S3:在第一铜金属层上沉积铜掺镧合金层，沟槽内的铜掺镧合金层不超过...
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