一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件技术

本申请公开了一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件，IGBT结构包括：衬底、第一导电类型的漂移区、多个沟槽栅、第二导电类型的体区、第一导电类型的发射区、第二导电类型的保护环、第二导电类型的集电区和多个第一导电类型的掺杂区，衬底包括IGBT区和位于IGBT区外侧的终端区并具有在第一方向上相互背离的第一表面和第二表面，集电区设置于漂移区朝向第一表面的一侧，且集电区远离漂移区的一侧构成至少部分第一表面，多个掺杂区沿与第一方向垂直的方向间隔设置于终端区的集电区中。根据本申请的IGBT结构及其制造方法、半导体器件，可有效降低关断损耗，且不会影响到导通压降。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体的，具体涉及一种igbt结构及其制造方法、半导体器件。

技术介绍

1、目前，igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种在金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，简称mosfet)基础上开发的mos-双极型复合晶体管，具有功率双极型晶体管和功率mosfet的共同优点，在导通压降以及开关上具有不同的优势，因而成为电源、驱动、控制电路中的核心器件。

2、相关技术中，igbt包括igbt区和位于igbt区外侧的终端区，终端区中形成有保护环以确保耐压，在igbt接通过程中，以集电区为p型导电类型为例，终端区会积聚大量的空穴，导致在igbt关断过程中需要从终端区排出的空穴数量增多，使得关断损耗变大。

3、因此需要改进，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的IGBT结构，其特征在于，所述终端区具有靠近所述IGBT区的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，从所述第二侧到所述第一侧，多个所述掺杂区在与所述第一方向垂直的方向上的宽度逐渐增大；和/或

3.根据权利要求1或2所述的IGBT结构，其特征在于，多个所述掺杂区包括与所述IGBT区邻接的掺杂区和与所述IGBT区间隔设置的掺杂区，其中，与所述IGBT区邻接的所述掺杂区在所述第一方向上贯穿所述终端区的所述集电区，与所述IGBT区间隔设置的所述掺杂区远离所述漂移区的一侧构成至少部分所述第一表面，与所述IGBT区间...

【技术特征摘要】

1.一种igbt结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的igbt结构，其特征在于，所述终端区具有靠近所述igbt区的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，从所述第二侧到所述第一侧，多个所述掺杂区在与所述第一方向垂直的方向上的宽度逐渐增大；和/或

3.根据权利要求1或2所述的igbt结构，其特征在于，多个所述掺杂区包括与所述igbt区邻接的掺杂区和与所述igbt区间隔设置的掺杂区，其中，与所述igbt区邻接的所述掺杂区在所述第一方向上贯穿所述终端区的所述集电区，与所述igbt区间隔设置的所述掺杂区远离所述漂移区的一侧构成至少部分所述第一表面，与所述igbt区间隔设置的所述掺杂区在所述第一方向上的厚度小于与所述igbt区邻接的掺杂区在所述第一方向上的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的igbt结构，其特征在于，多个所述掺杂区包括与所述igbt区邻接的掺杂区和与所述igbt区间隔设置的掺杂区，其中，与所述igbt区邻接的所述掺杂区在所述第一方向上贯穿所述终端区的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恒，张永旺，储金星，杨晶杰，何濠启，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：