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本申请公开了一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件，IGBT结构包括：衬底、第一导电类型的漂移区、多个沟槽栅、第二导电类型的体区、第一导电类型的发射区、第二导电类型的保护环、第二导电类型的集电区和多个第一导电类型的掺杂区，衬底包括IGBT...
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