【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种深沟槽电容器制备方法和深沟槽电容器。
技术介绍
1、随着人工智能ai加速器、高性能计算hpc和服务器的逻辑芯片系统带宽迅速提升，专用集成电路asic芯片的功耗也大幅增加。系统封装中的电源传输设计(包括电源噪声裕度)变得愈加关键。为了确保系统封装的电源传输网络pdn能够有效工作，尽量减少高频开关噪声和设计低阻抗的电源传输网络变得至关重要。
2、提高电源完整性pi性能的最常见方法是优化去耦电容的布局设计。特别是，具有小型化、低等效串联电感esl和高电容值的硅电容结构，近年来得到了广泛研究。为了减少数百mhz频段内的电源噪声，mos电容、金属-绝缘体-金属mim电容、深沟槽电容dtc、堆叠电容isc、嵌入式电容及封装底部电容lsc等片上电容解决方案，已被广泛应用于单一封装中，并被认为是有效的解决方案。
3、通常，多层mim电容使用高介电常数材料，尽管电容值较大，但其电容密度相对较低。过去几十年中，随着深硅刻蚀技术的不断进步，深沟槽电容的研发也取得了重要突破，这类电容器能够在有限的芯片面...
【技术保护点】
1.一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，基于深沟槽电容器沉积的第一金属层、第二金属层和第二介质层的堆叠厚度确定凹槽的深度。
3.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，基于深沟槽电容器的堆叠层数和堆叠厚度确定所述凹槽的侧壁与第一介质层上表面形成的角度。
4.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，第二次光刻前在第一介质和凹槽上沉积一层薄膜材料，对凹槽进行填充并使填充后的表面平坦后再进行光刻。
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，基于深沟槽电容器沉积的第一金属层、第二金属层和第二介质层的堆叠厚度确定凹槽的深度。
3.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，基于深沟槽电容器的堆叠层数和堆叠厚度确定所述凹槽的侧壁与第一介质层上表面形成的角度。
4.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，第二次光刻前在第一介质和凹槽上沉积一层薄膜材料，对凹槽进行填充并使填充后的表面平坦后再进行光刻。
5.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，所述选择性刻蚀具体包括：基于第一金属层和第二金属层的刻蚀速率进行选择性的刻蚀，从而使第一金属层和第二金属层在选择性刻蚀后仅保留一种。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：张栋山，刘瑞盛，喻涛，蒋信，余纪文，刘永沛，
申请(专利权)人：普赛微科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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