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本发明公开了一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器，包括采用双大马士革工艺形成凹槽，进行第二次光刻和刻蚀形成若干深沟槽阵列；依次交替沉积第一金属层、第二介质层、第二金属层和第二介质层，从而构建电容器的堆叠结构；沉积第三介质层后进行化学机械...
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