【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及原子层沉积，尤其涉及一种原子层沉积设备快速冷却装置。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition,ald)，也称为原子层外延(atomic layerepitaxy，ale)或者原子层化学气相沉积(atomie laver chemical vapor deposition,alcvd)。
2、原子层沉积最初由芬兰科学家在1974年提出，具有单原子层逐次沉积、沉积层厚度极均匀、三维保形性高的优点，已成为先进半导体工艺技术发展的关键环节。在原子层沉积工艺中，新原子层的化学反应直接与之前层关联。原子层沉积通过将两种以上的气相前驱体源交替地通入反应器，并在沉积衬底表面进行化学吸附反应形成沉积薄膜、利用化学键交替吸附a、b两种物质，实现面反应生长。
3、原子层沉积具有自限制的特点，即在每一个脉冲周期内，气相前驱体都只能在沉积衬底表面的原子成键位发生反应，并恰好以饱和量覆盖村底表面，能够在非常宽的工艺窗口中逐原子层重复生长。
4、使用ald设备制备某些高温材料(比如t...
【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述加热组件包括：加热盘和加热丝，其中，所述加热丝布置于所述加热盘内层，所述检测组件设置于所述加热盘上，所述冷却流体输送组件与所述加热盘连接。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述检测组件包括：温度传感器，所述温度传感器设置于所述加热组件的加热盘的边角处，所述温度传感器与所述控制组件连接。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述冷却流体输送组件包括：热交...
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述加热组件包括：加热盘和加热丝，其中，所述加热丝布置于所述加热盘内层，所述检测组件设置于所述加热盘上，所述冷却流体输送组件与所述加热盘连接。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述检测组件包括：温度传感器，所述温度传感器设置于所述加热组件的加热盘的边角处，所述温度传感器与所述控制组件连接。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述冷却流体输送组件包括：热交换器、输液管、一级冷却流体存储器和第一开关阀，其中，所述热交换器设置于所述加热组件中加热盘的底壁，所述输液管分别连接所述热交换器和所述一级冷却流体存储器，所述第一开关阀设置于所述热交换器和所述一级冷却流体存储器之间的所述输液管上，所述第一开关阀与所述控制组件连接，所述一级冷却流体存储器中存储有第一冷却流体。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备快速冷却装置，其特征在于，所述冷却流体输送组件还包括：二级冷却流体存储器和第二开关阀，其中，所述二级冷却流体存储器与所述输液管连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴昕童，明帅强，李明，王浙加，张亦哲，李国庆，闻梦瑶，
申请(专利权)人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心，
类型：发明
国别省市：
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