一种热型原子层沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于原子层沉积技术领域，涉及一种热型原子层沉积装置，包括：反应腔室，用于提供反应空间；抽气泵，用于对所述反应腔室的内部抽取真空；所述抽气泵与所述反应腔室连接；气体检测仪，用于检测所述反应腔室内的气体；所述气体检测仪设置于所述反应腔室内；控制器，用于根据所述气体检测仪的检测结果控制所述抽气泵；所述控制器分别连接所述抽气泵和所述气体检测仪。本申请提供的一种热型原子层沉积装置可以对反应腔室内的气体种类及含量进行检测，如果气体种类或含量不是反应所需，则开启抽气泵排出反应腔室内的气体，降低杂质气体或超量气体对正常反应带来的干扰，降低反应杂质的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及原子层沉积，尤其涉及一种热型原子层沉积装置。

技术介绍

1、镍薄膜具有电阻率低、连续、均匀等突出优点，传统的ni薄膜都是采用物理气相沉积技术沉积一层镍金属。当器件尺寸持续缩小到16纳米及以下技术节点时，传统的pvd方法已不能满足需求，相比于物理气相沉积，化学气相沉积(cvd)与原子层沉积(ald)将是进行薄膜金属或者金属化合物沉积最有应用前景的两种方法。cvd工艺是前驱体与反应物同时存在于反应腔室，在一定的反应条件下，发生于气相或者基底表面的沉积过程。严格说来，ald属于cvd技术，与传统的cvd不同的是，该技术通过重复两个或多个半反应来实现薄膜一层一层的生长。ald反应腔中每一个半反应的前驱体单独存在，各半反应之间用惰性气体进行吹洗，并且ald中的各半反应周期内，前驱体与基底表面的反应是自限制的，由此ald能够实现每一周期内精确到原子层厚度的薄膜生长方式。特别是，该工艺基于前驱体的表面自限制化学吸附反应原理，对高深宽比孔洞及复杂三维结构表面具有优异的保形性能。此外，利用ald技术可以通过控制沉积周期数来精确地控制薄膜生长厚度。

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【技术保护点】

1.一种热型原子层沉积装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：单向阀，所述单向阀分别连接所述反应腔室和所述抽气泵，所述单向阀只允许气体从所述反应腔室内流向所述抽气泵。

3.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：进气管，所述进气管与所述反应腔室连接。

4.根据权利要求3所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：气体调节阀，所述气体调节阀设置于所述进气管上。

5.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：进料管，所述进料管与所述反应腔室连接。

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【技术特征摘要】

1.一种热型原子层沉积装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：单向阀，所述单向阀分别连接所述反应腔室和所述抽气泵，所述单向阀只允许气体从所述反应腔室内流向所述抽气泵。

3.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：进气管，所述进气管与所述反应腔室连接。

4.根据权利要求3所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：气体调节阀，所述气体调节阀设置于所述进气管上。

5.根据权利要求1所述的热型原子层沉积装置，其特征在于，还包括：进料管，所述进料管与所述反应腔室连接。

6.根据权利要求5所述的热型原子层沉积装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽丽，寿智云，
申请(专利权)人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心，
类型：发明
国别省市：