【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种中压器件及其形成方法。
技术介绍
1、随着摩尔定律的不断发展，半导体工艺技术朝着更小的工艺节点迈进，集成电路越来越复杂，体积更小，集成度更高，对器件的性能提出了更高的要求。
2、在现有各工艺技术节点中，中压器件耐压较高，中压器件区的栅极氧化层厚度的要求也比较厚。以40纳米节点hv(high voltage，高压器件)工艺平台或者55纳米hv工艺平台为例，中压器件中的栅极氧化层厚度通常在170埃到250埃。传统的issg(in-situ steamgeneration，原位水汽生长)工艺无法一步生长大于150埃的栅极氧化层。现有技术主要是先采用issg工艺生长一定厚度的栅极氧化层，再采用hto(high temperature oxidation，高温氧化)工艺生长栅极氧化层到目标厚度的工艺方案，但是由于hto工艺生长的栅极氧化层的厚度均匀性不易控制，同时hto工艺是高温工艺，生长时间较长，热预算较高，这些均导致中压器件的可靠性变差。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种中压器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层的厚度为50埃至150埃。
3.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层的厚度为30埃至200埃。
4.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述中压器件区的栅极氧化层的厚度大于170埃。
5.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述ISSG工艺的工艺温度为700℃至1100℃。
6.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种中压器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层的厚度为50埃至150埃。
3.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层的厚度为30埃至200埃。
4.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述中压器件区的栅极氧化层的厚度大于170埃。
5.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述issg工艺的工艺温度为700℃至1100℃。
6.根据权利要求1所述的中压器件的形成方法，其特征在于，所述ald工艺的工艺温度为3...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱克宝，李业超，林昭宏，黄仁德，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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