温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种中压器件及其形成方法，所述中压器件的形成方法通过先采用ISSG工艺形成第一栅极氧化层，第一栅极氧化层覆盖衬底；再采用ALD工艺形成第二栅极氧化层，第二栅极氧化层覆盖第一栅极氧化层和浅沟槽隔离结构，第一栅极氧化层和第二栅极氧化层...
该专利属于重庆芯联微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆芯联微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。