【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电探测器，尤其涉及硒化锑柔性薄膜光电探测器及其制备方法与应用、血氧检测装置。
技术介绍
1、半导体光电探测器是利用半导体对光的吸收并由此产生光电导效应、光生伏特效应及光热电效应等特殊效应而制成的光子-电子转换器件。光电探测器在健康医疗领域扮演着重要作用，血氧饱和度是生物医学检测方面重要的基础数据之一，如何准确地、实时地利用光电探测器进行无损检测成为研究热点，也面临重要挑战。目前商用普及的光电探测器大部分是以硅材料为基材设计的，硅材料具有含量丰富、制备工艺成熟等优点，但是其间接带隙极大限制了对入射光的高效吸收和利用，同时，传统硅基光电探测器多采用三维体沟道结构设计，牺牲了器件的透明度和柔韧度，非完美贴合皮肤也会引入外部噪声干扰，导致对特征信号的测量误差较大，从而阻碍其在柔性可穿戴人体血氧检测方向的应用。因此，探索具有高响应度/探测度、超快响应速度以及抗噪声干扰强的高性能柔性光电探测器具有重要的科学研究意义及未来产业应用价值。
2、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过化学水浴沉积法在所述Sb2Se3柔性薄膜层上形成缓冲层；
3.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射法在所述缓冲层上形成窗口层；
4.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过热蒸发法在所述窗口层上和第二Mo薄膜层上形成顶电极；
5.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜...
【技术特征摘要】
1.一种硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过化学水浴沉积法在所述sb2se3柔性薄膜层上形成缓冲层；
3.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射法在所述缓冲层上形成窗口层；
4.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，通过热蒸发法在所述窗口层上和第二mo薄膜层上形成顶电极；
5.根据权利要求1所述的硒化锑柔性薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底为聚酰亚胺柔性衬底、聚对苯二甲酸乙二醇酯柔性衬底、聚碳酸酯柔性衬底和聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底中的一种。
6.根据权利要求1所述的硒化...
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