【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、存储系统。
技术介绍
1、随着存储器件缩小到较小的管芯尺寸以降低制造成本并提高存储密度，由于工艺技术的限制和可靠性问题，平面存储单元的缩放面临着挑战。
2、为克服2d或者平面存储单元带来的限制，业界已经研发了具有三维结构(3d)的存储器，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。当前，三维存储器中的电容器还优化的空间。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储系统，旨在解决三维存储器中的电容器性能不佳的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体结构，包括：堆叠结构、第二导电层以及存储功能层。堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一导电层和多个隔离层；第二导电层贯穿所述堆叠结构；存储功能层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且围绕所述第二导电层。其中，所述第一导电层包括板线层和导电图案，所述导电图案位于所述板线层和所述存...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，围绕同一所述存储功能层、且沿垂直于所述板线层的方向层叠设置的多个所述导电图案同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层内具有第一间隙。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隙位于沿第一方向相邻的两个所述板线层之间，且所述第一间隙还位于相邻两个所述存储功能层之间；所述第一方向垂直于所述板线层。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，相邻接的所述导电图案和所述板线层中：所述导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，围绕同一所述存储功能层、且沿垂直于所述板线层的方向层叠设置的多个所述导电图案同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层内具有第一间隙。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隙位于沿第一方向相邻的两个所述板线层之间，且所述第一间隙还位于相邻两个所述存储功能层之间；所述第一方向垂直于所述板线层。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，相邻接的所述导电图案和所述板线层中：所述导电图案的第一表面相对于所述板线层凹陷，部分所述隔离层位于所述第一表面、所述板线层以及所述存储功能层围设的第一凹陷区域内，和/或，所述导电图案的第二表面相对于所述板线层凹陷，部分所述隔离层位于所述第二表面、所述板线层以及所述存储功能层围设的第二凹陷区域内；所述第一表面和所述第二表面沿垂直于所述板线层的方向相对设置。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括隔离部，所述隔离部贯穿所述堆叠结构，且与所述隔离层连接。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层和所述隔离部一体成型。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部内具有第二间隙，所述第二间隙与至少一个所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨远程，孙昌志，杨益，刘磊，郑晓芬，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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