一种HJT太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种HJT太阳能电池及其制备方法。本发明专利技术提供的一种HJT太阳能电池，包括：N型硅层衬底，所述N型硅层衬底的正面一侧，由内到外依次叠层设置的第一本征非晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层、P型掺杂微晶硅层、第一TCO层和第一集电极；所述N型硅层衬底的背面一侧，由内到外依次叠层设置的第二本征非晶硅层、掺氢N型微晶氧化硅层、N型掺杂微晶硅层、第二TCO层和第二集电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种hjt太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、hjt电池是一种可以低成本实现的高效晶体硅太阳能电池。该电池是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即，以高寿命的n型硅为衬底，在p型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜。然后在掺杂的非晶硅薄膜的两侧沉积透明导电氧化物(tco)薄膜，最后通过丝网印刷技术在两侧形成金属电极，形成具有对称结构的hjt太阳能电池。

2、hjt电池是在硅片的前后表面沉积较薄的本征非晶硅薄膜进行钝化，然后在前后本征层上分别沉积掺杂的p与n非晶硅层，形成异质结电池结构(p-asi\i-asi\c-si\i-asi\n-asi)。相关技术中，由于hjt电池中非晶硅主要有本征非晶硅和掺杂非晶硅，本征非晶硅对c-si界面的钝化效果至关重要，优质的钝化层可减少界面复合，从而提高少子寿命和开路电压。受光面掺杂非晶硅层由于要保证良好的导电性，掺有杂质原子，缺陷密度较多，对太阳光寄生吸收较多，影响光的利用率，导致hjt电池短路电流较低，从而限制了hj本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HJT太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的HJT太阳能电池，其特征在于，所述N型硅层衬底的厚度为60～170μm。

3.根据权利要求1所述的HJT太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和/或所述第二本征非晶硅层的厚度为5～15nm。

4.根据权利要求1所述的HJT太阳能电池，其特征在于，所述掺氢P型微晶氧化硅层和/或所述掺氢N型微晶氧化硅层的厚度为10～20nm。

5.根据权利要求4所述的HJT太阳能电池，其特征在于，所述掺氢P型微晶氧化硅层和/或所述掺氢N型微晶氧化硅层的厚度为14～18nm。

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【技术特征摘要】

1.一种hjt太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的hjt太阳能电池，其特征在于，所述n型硅层衬底的厚度为60～170μm。

3.根据权利要求1所述的hjt太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和/或所述第二本征非晶硅层的厚度为5～15nm。

4.根据权利要求1所述的hjt太阳能电池，其特征在于，所述掺氢p型微晶氧化硅层和/或所述掺氢n型微晶氧化硅层的厚度为10～20nm。

5.根据权利要求4所述的hjt太阳能电池，其特征在于，所述掺氢p型微晶氧化硅层和/或所述掺氢n型微晶氧化硅层的厚度为14～18nm。

6.根据权利要求1所述的hjt太阳能电池，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞祥瑞，肖平，赵东明，田鸿翔，王玮，汪海军，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：

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