【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碳化硅材料制造，特别涉及一种应用在碳化硅材料制造系统的反应容器的管道接驳方法、装置、程序以及可读存储介质。
技术介绍
1、碳化硅是一种具有代表性的陶瓷材料，由于其优异的物理、化学和电学性能，因此在整个工业领域得到广泛应用。
2、近年来，随着使用碳化硅材料的半导体加工部件的开发积极进展，碳化硅材料的重要性日益增加。特别地，碳化硅材料由于其高等离子体耐受性而被广泛用作半导体工艺部件中用于蚀刻工艺的部件。用于半导体蚀刻工艺零件的碳化硅材料是制造碳化硅的传统方法。由于用这种方法不能满足质量和性能，因此现有技术中，常采用化学气相沉积法制造。
3、化学气相沉积碳化硅采用含si气体如sih4、sicl2、sicl4和含c气体如c2h2、ch4、c3h8等的混合物作为原料气体，或ch3sicl3、ch3sih3，(ch3)3sih)等。有一些使用单片原材料的沉积方法，通过化学气相沉积制造碳化硅材料具有生产率低的缺点，因为该过程是在间歇式的化学气相沉积炉中进行的。然而，如果要将间歇式的化学气相沉积炉改进为连续式的化学...
【技术保护点】
1.一种反应容器的管道接驳方法，应用于碳化硅材料的化学气相沉积，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动电机转动以带动第一管道转动从而使得第一管道和第二管道螺纹连接的步骤中，包括：
3.根据权利要求2所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动第一管道向前移动以靠近反应容器的第二管道的步骤中，还包括：
4.根据权利要求3所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动电机转动以带动第一管道转动从而使得第一管道和第二管道螺纹连接的步骤中，还包括：
5.根据权利要求2所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动...
【技术特征摘要】
1.一种反应容器的管道接驳方法，应用于碳化硅材料的化学气相沉积，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动电机转动以带动第一管道转动从而使得第一管道和第二管道螺纹连接的步骤中，包括：
3.根据权利要求2所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动第一管道向前移动以靠近反应容器的第二管道的步骤中，还包括：
4.根据权利要求3所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动电机转动以带动第一管道转动从而使得第一管道和第二管道螺纹连接的步骤中，还包括：
5.根据权利要求2所述的管道接驳方法，其特征在于，在驱动第一管道转动以使得第一管道与第二管道螺纹连接的步骤中，还包括：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟熏，崔海珍，金锡津，
申请(专利权)人：苏州精材半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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