一种管道对接装置及连续碳化硅材料制造系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅材料制造设备传输领域，特别地涉及一种管道对接装置，包括：反应箱，设于位移轨道上，且能够沿位移轨道的长度方向移动；反应箱包括出气通道和多个进气通道，出气通道和多个进气通道分别设于所述反应箱的两侧；罩壳，设于位移轨道的上方，且与位移轨道之间形成处理腔室；气体模块，包括供气组件、排气组件及驱动组件；供气组件与所述排气组件分别设于所述罩壳的两侧；当所述反应箱沿位移轨道移动到所述处理腔室内时，所述驱动组件驱动所述供气组件的多根供气管穿过所述罩壳的预留孔且分别与多个所述进气通道可拆卸连接；所述驱动组件驱动所述排气组件的排气管穿过所述罩壳的预留孔且与所述出气通道可拆卸连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅材料制造设备传输，特别地涉及一种管道对接装置及连续碳化硅材料制造系统。

技术介绍

1、碳化硅是一种具有代表性的陶瓷材料，由于其优异的物理、化学和电学性能，因此在整个工业领域得到广泛应用。

2、近年来，随着使用碳化硅材料的半导体加工部件的开发积极进展，碳化硅材料的重要性日益增加。特别地，碳化硅材料由于其高等离子体耐受性而被广泛用作半导体工艺部件中用于蚀刻工艺的部件。用于半导体蚀刻工艺零件的碳化硅材料是制造碳化硅的传统方法。由于用这种方法不能满足质量和性能，因此现有技术中，常常采用化学气相沉积法制造。

3、在化学气相沉积碳化硅的过程中，采用含si气体如sih4、sicl2、sicl4和含c气体如c2h2、ch4、c3h8等的混合物作为原料气体，或采用ch3sicl3、ch3sih3，(ch3)3sih)等单一气体作为原材料，进行沉积。现有技术中，目前采用人工的方式将用于注入原料气体的管道与现有设备相应的管道进行对接，效率低下，且气密性差。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种管道对接装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的管道对接装置，其特征在于，所述驱动组件包括：

3.根据权利要求2所述的管道对接装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的管道对接装置，其特征在于，所述驱动组件还包括：

5.根据权利要求4所述的管道对接装置，其特征在于，所述供气子管上具有两个限位片，两个限位片之间形成限位夹层；所述驱动组件还包括：

6.根据权利要求1所述的管道对接装置，其特征在于，所述驱动组件包括：

7.根据权利要求6所述的管道对接装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述...

【技术特征摘要】

1.一种管道对接装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的管道对接装置，其特征在于，所述驱动组件包括：

3.根据权利要求2所述的管道对接装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的管道对接装置，其特征在于，所述驱动组件还包括：

5.根据权利要求4所述的管道对接装置，其特征在于，所述供气子管上具有两个限位片，两个限位片之间形成限位夹层；所述驱动组件还包括：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟熏，崔海珍，金锡津，
申请(专利权)人：苏州精材半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：