【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及用于最终抛光工艺的处理方法及抛光晶圆。
技术介绍
1、在晶圆的生产中，通常，首先利用拉晶炉拉制出晶棒，再将晶棒切割成多个晶锭，随后将每个晶锭通过比如多线切割的方式切割成薄片状的初始晶圆，然后使初始晶圆经历抛光、外延等处理后，便可获得成品晶圆。
2、在晶圆的抛光过程中，通常，按照双面抛光、一次清洗、边缘抛光、二次清洗、最终抛光的顺序进行。最终抛光是晶圆表面处理的关键步骤，其目的是去除前序工艺中可能引入的损伤层和表面不平整，确保晶圆表面达到高标准的平整度和清洁度。经过最终抛光工艺的晶圆表面的质量直接决定了晶圆的品质。
3、然而，最终抛光工艺主要通过采用抛光垫和抛光液中的磨料颗粒对晶圆表面施加物理压力来去除材料，这种材料去除方式的速率低，并且容易在晶圆表面引起缺陷，对晶圆的表面质量及其性能会产生不利影响。
技术实现思路
1、本部分提供本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
2、本公开的目的在于提供一种...
【技术保护点】
1.一种用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述第一抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比大于所述第二抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比。
3.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述第一抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比在1:2500至1:1500的范围内，所述第二抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比在1:5000至1:2500的范围内。
4.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述碱性添加剂为无机
...【技术特征摘要】
1.一种用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述第一抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比大于所述第二抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比。
3.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述第一抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比在1:2500至1:1500的范围内，所述第二抛光液中的所述碱性添加剂与溶剂的体积比在1:5000至1:2500的范围内。
4.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述碱性添加剂为无机碱或有机碱。
5.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述碱性添加剂包括koh、naoh或nh4oh。
6.根据权利要求1所述的用于最终抛光工艺的处理方法，其特征在于，所述第一抛光以第一目标去除厚度进行，所述第二抛...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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