【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备中的晶圆载盘机构，尤其涉及一种晶圆载盘的校准机构及其薄膜沉积设备、校准方法。
技术介绍
1、薄膜沉积设备在半导体制程工艺中具有广泛的应用，工艺过程中，反应腔内的加热盘会在电机的驱动下做垂直升降运动。对于部分薄膜沉积工艺(如氮化钛、钛的原子层沉积)，加热盘温度以及腔室内温度极高。当设备的各个部件温度由室温升至工艺温度，腔内衬套以及腔体本身会发生不同程度的热膨胀，带动加热盘的水平位置发生偏移。加热盘发生偏移后，送入工艺腔室的晶圆可能会因为接触加热盘外侧凸起的平台而翘起，影响薄膜沉积的效果，导致薄膜厚度平均值、厚度均匀性等参数达不到工艺要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种晶圆载盘的校准机构及其薄膜沉积设备、校准方法，以解决现有晶圆载盘受高温影响发生偏移的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术的实施例提供了一种晶圆载盘的校准机构，其包括：载盘，连接于所述载盘的底部中...
【技术保护点】
1.一种晶圆载盘的校准机构，其特征在于，包括：载盘，连接于所述载盘的底部中心的支撑件，以及校准组件，所述支撑件内沿长度方向设有通腔，所述校准组件包括定位柱以及用于检测所述定位柱的位移检测传感器单元；所述定位柱穿设于所述通腔，且顶部固定连接于所述载盘。
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘的校准机构，其特征在于，所述位移检测传感器单元包括：第一传感器和第二传感器，所述第一传感器和所述第二传感器在所述定位柱垂直平面上呈垂直夹角设置。
3.根据权利要求2所述的晶圆载盘的校准机构，其特征在于，所述定位柱的下端伸出所述支撑件的外部，所述第一传感器和所述第二传...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆载盘的校准机构，其特征在于，包括：载盘，连接于所述载盘的底部中心的支撑件，以及校准组件，所述支撑件内沿长度方向设有通腔，所述校准组件包括定位柱以及用于检测所述定位柱的位移检测传感器单元；所述定位柱穿设于所述通腔，且顶部固定连接于所述载盘。
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘的校准机构，其特征在于，所述位移检测传感器单元包括：第一传感器和第二传感器，所述第一传感器和所述第二传感器在所述定位柱垂直平面上呈垂直夹角设置。
3.根据权利要求2所述的晶圆载盘的校准机构，其特征在于，所述定位柱的下端伸出所述支撑件的外部，所述第一传感器和所述第二传感器均位于所述定位柱的外侧。
4.根据权利要求3所述的晶圆载盘的校准机构，其特征在于，所述载盘的顶部设有晶圆承载面，所述定位柱与所述晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘时禾，王思琦，薛国标，程海螺，邓浩，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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