【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在ic设计与制造中，会基于客户的需求，设计出一些比较特殊的结构版图,经常会存在图案负载效应(pattern loading effect)，从而影响半导体器件的性能。
2、因此，需要改善这一情况。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善晶圆的应力影响。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括隔离区和器件区，所述隔离区和器件区沿平行于晶圆表面的第一方向分布；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内；获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况；若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆边缘具有定位槽；所述激光退火处理所采用的激光束在晶圆表面具有投影光斑，所述投影光斑沿晶圆的边缘延伸至晶圆的圆心，所述投影光斑具有沿所述晶圆半径方向上的中线；所述定位槽与晶圆的圆心具有第一连线。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况包括：偏移程度和偏移方向，所述偏移程度包括偏移严重情况或偏移轻微情况，所述偏移方向包括沿远离所述隔离区的方向偏移或沿朝向所述隔离区的方向偏...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆边缘具有定位槽；所述激光退火处理所采用的激光束在晶圆表面具有投影光斑，所述投影光斑沿晶圆的边缘延伸至晶圆的圆心，所述投影光斑具有沿所述晶圆半径方向上的中线；所述定位槽与晶圆的圆心具有第一连线。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况包括：偏移程度和偏移方向，所述偏移程度包括偏移严重情况或偏移轻微情况，所述偏移方向包括沿远离所述隔离区的方向偏移或沿朝向所述隔离区的方向偏移；所述偏移严重情况的偏移量绝对值范围为：30纳米至48纳米；所述偏移轻微情况的偏移量绝对值范围为：12纳米至30纳米。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，对所述晶圆进行激光退火处理，包括：根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移程度和偏移方向，调整激光退火处理中激光的角度，对所述晶圆进行激光退火处理。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第二层结构和第一层结构为偏移严重情况时，对所述晶圆进行第一激光退火处理。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一激光退火处理包括：对所述晶圆进行第一处理和第二处理；所述第一处理包括：以第一位置为初始点，旋转所述晶圆对所述晶圆进行第一处理，所述第一位置的光斑中线与所述第一连线之间具有第一夹角；所述第二处理包括：以第二位置为初始点，旋转所述晶圆对所述晶圆进行第二处理，所述第二位置的光斑中线与所述第一连线之间具有第二夹角。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一夹角和第二夹角之间的差值绝对值为180度。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第二层结构和第一层结构的偏移方向沿远离所述隔离区的方向偏移时，所述第一夹角的范围为10度至45度，所述第二夹角的范围为190度至225度。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第二层结构和第一层结构的偏移方向沿朝向所述隔离区的方向偏移时，所述第一夹角的范围为100度至135度，所述第二夹角的范围为280度至335度。
【专利技术属性】
技术研发人员：单立冬，仝海跃，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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