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一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，包括隔离区和器件区；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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