【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及全息光刻，特别涉及一种基于交替投影算法的全息光刻掩模设计方法。
技术介绍
1、投影式光刻是目前半导体制造中主流的光刻技术，其原理是通过物镜系统将掩模图形缩放并成像到硅片表面，随后通过曝光、后烘、显影和刻蚀等工艺将设计好的集成电路图形转移到硅片上。然而，投影式光刻机受到复杂的投影物镜系统和高精密的对准系统的限制，导致设备成本与维护成本较高。与此相比，掩模对准光刻技术是一种技术成熟且价格低廉的光刻技术，设备维护较为简便。相较于接触式光刻模式，接近式光刻模式避免了掩模与硅片的直接接触，从而减少了掩模污染。尽管掩模对准光刻技术不是大规模高集成度芯片制造的主要选择，但在大面积图形制造或定制芯片领域依然有广泛应用前景。为了制造更小的特征尺寸，投影式光刻中的一些分辨率增强技术同样可以应用到掩模对准光刻中。特别是通过照明光学和光掩模等技术的创新，掩模对准光刻技术的应用潜力得到进一步扩展。
2、全息光刻使用全息光刻掩模替代传统二元掩模，能够对入射光场施加额外的相位调制，从而携带更多的目标图形信息，可以提高掩模对准光刻分辨率。早期...
【技术保护点】
1.一种基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，所述步骤4：对于非对称图形采用基于多边形的部分交替相移分布，具体包括：输入的二值掩模图形分解为互不连通的多边形；并按照自上而下、自左而右的顺序对其进行编号；并对奇数编号或偶数编号的多边形区域引入相移。
3.根据权利要求1所述的基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，所述步骤5：使用ASPW算法将硅片面的初始复振幅分布E0反向传播到掩模面，得到掩模面的复振幅分布Emask，
<...【技术特征摘要】
1.一种基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，所述步骤4：对于非对称图形采用基于多边形的部分交替相移分布，具体包括：输入的二值掩模图形分解为互不连通的多边形；并按照自上而下、自左而右的顺序对其进行编号；并对奇数编号或偶数编号的多边形区域引入相移。
3.根据权利要求1所述的基于交替投影算法的全息光刻掩模优化设计方法，其特征在于，所述步骤5：使用aspw算法将硅片面的初始复振幅分布e0反向传播到掩模面，得到掩模面的复振幅分布emask，具体包括：
4.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇洋，李思坤，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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