图形修正方法技术

一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对待修正版图进行曝光显影，获取光刻版图，所述光刻版图包括若干光刻图形，所述光刻图形与所述待修正图形一一对应；获取光刻图形的三维轮廓；判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移；根据所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移的情况，获取第一图形和第二图形，所述第一图形为无需修正的待修正图形，所述第二图形为除第一图形之外的待修正图形；对所述第二图形进行光学邻近效应修正。所述方法的修正效率提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种图形修正方法。

技术介绍

1、为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

2、在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。

3、为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(opc：optical proximitycorrection)。光学邻近修正本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移的方法包括：获取相邻所述三维轮廓的侧壁之间的若干等位线，若干所述等位线平行于光刻版图表面；获取若干等位线中最长等位线和最短等位线之间的长度差；根据所述长度差的绝对值是否在预设范围内判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移。

3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，根据所述长度差的绝对值是否在预设范围内判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移：若所述长度差的绝对值未在预设范围内，则判断所述三维轮廓的侧壁发生了偏移；若所述长度差的绝对值在预设范围内，...

【技术特征摘要】

1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移的方法包括：获取相邻所述三维轮廓的侧壁之间的若干等位线，若干所述等位线平行于光刻版图表面；获取若干等位线中最长等位线和最短等位线之间的长度差；根据所述长度差的绝对值是否在预设范围内判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移。

3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，根据所述长度差的绝对值是否在预设范围内判断所述三维轮廓的侧壁是否发生偏移：若所述长度差的绝对值未在预设范围内，则判断所述三维轮廓的侧壁发生了偏移；若所述长度差的绝对值在预设范围内，则判断所述三维轮廓的侧壁未发生偏移。

4.如权利要求3所述的图形修正方法，其特征在于，获取第一图形和第二图形的方法包括：若所述三维轮廓的侧壁发生了偏移，则所述三维轮廓对应的待修正图形无需进行光学邻近效应修正，获取第一图形；若所述三维轮廓的侧壁未发生偏移，则所述三维轮廓对应的待修正图形需要进行光学邻近效应修正，获取第二图形。

5.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，对所述第二图形进行光学邻近效应修正的方法包括：获取第二图形和对应的三维轮廓之间的边缘放置误差；判断三维轮廓预设区域内的边缘放置误差是否在预设范围内；根据三维轮廓预设区域内的边缘放置误差是否在预设范围内的情况，判断三...

【专利技术属性】
技术研发人员：江小龙，任堃，高大为，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：