【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体工艺中，晶体管通过后段导电互连结构引出源极、漏极，但是，后段工艺带来的一个挑战是如何减小导电互连结构在器件正常工作时带来的电容电阻延迟(rcdelay),其中，在晶体管中的栅极上方形成气隙(air gap)就是一种常用的解决措施。
2、现有工艺中，在导电互连结构中的第一层金属层(m1)制作完成之后，会在相邻第一层金属层之间的介电层中形成开口，再通过化学气相沉积工艺生长一层阶梯覆盖性很差的绝缘薄膜，利用其不良的填孔性能形成气隙；但是，由于化学气相沉积工艺填孔的特性，气隙总是从第一层金属层的中部位置往上开始收口，导致高于第一层金属层中部位置的气隙宽度逐渐减小，进而导致相邻第一层金属层之间的寄生电容过大而达不到器件的性能需求。
3、因此，如何进一步减小寄生电容是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，使得寄生电容进一步得到降低。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述下层绝缘介质层以形成与所述下层气隙连通的上层气隙，且刻蚀所述下层绝缘介质层之前的所述下层气隙的顶部宽度小于刻蚀所述下层绝缘介质层之后的所述下层气隙的顶部宽度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括
6....
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述下层绝缘介质层以形成与所述下层气隙连通的上层气隙，且刻蚀所述下层绝缘介质层之前的所述下层气隙的顶部宽度小于刻蚀所述下层绝缘介质层之后的所述下层气隙的顶部宽度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤s2包括：
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括形成于所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括形成于所述衬底上的栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区上形成有所述下层导电互连结构，或者，所述栅极结构、所述源极区和所述漏极区上形成有所述下层导电互连结构。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述下层气隙形成于所述栅极结...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，朱奎，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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