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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底和下层绝缘介质层，下层绝缘介质层中形成有至少两条下层导电互连结构，相邻两条下层导电互连结构之间的下层绝缘介质层中形成有下层气隙；形成暴...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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