【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种晶圆干燥方法及干燥装置。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，化学机械抛光（cmp）后晶圆干燥是关键的步骤之一，对晶圆的干燥效果直接影响了器件的质量和良品率。通常采用的干燥方法有气体干燥、离心干燥、气态ipa（异丙醇）干燥，其中：
2、气体干燥是使用高纯度气体（如氮气）通过喷嘴直接吹向晶圆表面，利用气流的作用将残留的水或清洗液吹离晶圆表面，这种干燥方式速度较慢，在气流的推动下晶圆表面的溶液自然干燥蒸发，容易形成水痕；
3、离心干燥是通过晶圆高速旋转，通过离心力将晶圆表面的液体甩离，这种干燥方式依赖高速旋转，旋转过程中容易导致晶圆损坏或产生微小的缺陷，边缘部分的液体容易形成水渍或污染；
4、气态ipa干燥是基于浓度梯度马兰戈尼效应，通过ipa蒸汽置换超纯水进行干燥，该方法虽然可起到较好的干燥效果，但是ipa蒸汽工艺控制复杂，且其易燃的特性带来安全问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种晶圆干燥方法及干燥装置，旨...
【技术保护点】
1.一种晶圆干燥方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区中的最高温度与最低温度的差值为50℃。
3.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区形成由中心向边缘的多个温区，每个所述加热区对应一个温区。
4.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区形成由中心向边缘的多个温区，多个所述加热区组成一个温区，每个所述温区包含的加热区数量相同或不同。
5.如权利要求3或4所述的晶圆干燥方法，其特征在于，所述温区分为沿背离晶圆轴线方向依次设置的第...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆干燥方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区中的最高温度与最低温度的差值为50℃。
3.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区形成由中心向边缘的多个温区，每个所述加热区对应一个温区。
4.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特征在于，多个所述加热区形成由中心向边缘的多个温区，多个所述加热区组成一个温区，每个所述温区包含的加热区数量相同或不同。
5.如权利要求3或4所述的晶圆干燥方法，其特征在于，所述温区分为沿背离晶圆轴线方向依次设置的第一温区、第二温区、第三温区、第四温区，所述第一温区为65℃~80℃，所述第二温区为50℃~65℃，所述第三温区为35℃~50℃，所述第四温区为25℃~35℃。
6.如权利要求1所述的晶圆干燥方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱梦磊，张康，何家鑫，王渤，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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