一种用于多离子囚禁的刀片阱装置和多离子囚禁方法制造方法及图纸

本申请公开了一种用于多离子囚禁的刀片阱装置和多离子囚禁方法，解决现有技术不能稳定囚禁多离子的问题。一种用于多离子囚禁的刀片阱装置，包含：射频电极、DC补偿电极。所述射频电极和所述DC补偿电极呈片状，且两个所述射频电极相对，两个所述DC补偿电极相对，以离子囚禁区为轴心成X型分布。所述DC补偿电极从靠近所述轴心一侧边沿沿所述轴心的径向分割成至少两个不互联通的分段。使用所述装置，多离子囚禁方法包括：在所述射频电极上施加射频信号及射频偏置电压；在DC补偿电极的多个分段施加不同的直流电压。本申请所提供装置和方法可以稳定地囚禁多离子，并保证较大的通光区域和离子收集区域。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光学频标、量子精密测量，尤其涉及一种用于多离子囚禁的刀片阱装置和多离子囚禁方法。

技术介绍

1、离子阱能够实现离子囚禁，结合激光冷却等技术，实现离子精密操控。对不同构型（线性阱、刀片阱、帽阱等）的离子阱电极进行设计，需要满足加载射频信号、偏置电压、补偿电压等需求，以产生势阱并抑制离子附加微运动，实现离子长期稳定囚禁。同时需要保证较大的通光区域，满足离子与多波长激光相互作用的应用需求。此外，较大的荧光收集区域立体角有利于提高离子信号的探测信噪比。现有技术对于囚禁多离子的情况，一般对离子系综整体进行微运动补偿，难以对不同离子的微运动进行分段补偿，导致离子微运动抑制效果较差，不利于多个离子稳定囚禁。

2、因此，需要一种用于多离子囚禁的刀片阱装置和方法，用于稳定囚禁多离子，并保证较大的通光区域和离子收集区域。

技术实现思路

1、本申请提出一种用于多离子囚禁的刀片阱装置和多离子囚禁方法，解决现有技术不能稳定囚禁多离子的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种用于多离子囚禁的刀片阱装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，包含：射频电极、DC补偿电极；

2.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，在所述DC补偿电极远离所述轴心的一侧边沿设置DC接地端，所述分段均连接接地端，且分段与接地端之间绝缘。

3.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，接收激光入射的所述射频电极和所述DC补偿电极的夹角为锐角。

4.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，所述DC补偿电极沿所述轴心的径向左右对称蚀刻四条狭缝将电机分为互不连通的五个分段。

5.根据权利要求1所述用于多离子...

【技术特征摘要】

1.一种用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，包含：射频电极、dc补偿电极；

2.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，在所述dc补偿电极远离所述轴心的一侧边沿设置dc接地端，所述分段均连接接地端，且分段与接地端之间绝缘。

3.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，接收激光入射的所述射频电极和所述dc补偿电极的夹角为锐角。

4.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，所述dc补偿电极沿所述轴心的径向左右对称蚀刻四条狭缝将电机分为互不连通的五个分段。

5.根据权利要求1所述用于多离子囚禁的刀片阱装置，其特征在于，所述dc补偿电极和所述射频电极远离所述轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩蕾，薛潇博，孙婧昕，纪仟仟，陈星，张升康，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：