茚并衍生物和使用其的有机发光器件制造技术

提供具有高效率、高亮度和长寿命的光输出的有机发光器件。该有机发光器件包括阳极、阴极和插入该阳极和该阴极之间的包括有机化合物的层，其中该阳极和该阴极中的任一个由透明或半透明的电极材料形成，并且其中所述层包括至少一种由通式（１）表示的茚并衍生物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及茚并篇衍生物和使用该衍生物的有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件是具有含有荧光性或磷光性有机化合物并且夹在电 极之间的薄膜的器件。从各自的电极注入电子和空穴(正空穴)，由 此产生荧光性或磷光性化合物的激子。激子在其返回到基态时发光。 有机发光器件近来的发展显著，并且该器件的特性可实现具有在低施 加电压下的高亮度、各种发射波长和高速响应性的薄且重量轻的发光 器件。由这一事实表明该器件具有在多种应用中开发使用的潜力。但是，当前的情况下，需要具有更高亮度或更高转换效率的光输 出。另外，有机发光器件在耐久性方面仍涉及大量的问题例如由于长 期使用引起的经时变化和由于含有氧、湿气等的气氛气体引起的劣化。 另外，当考虑将该器件应用于全色显示器等时，需要具有良好色纯度 的蓝、绿和紅光发射。但这些问题仍未得到充分解决。作为解决上述问题的方法，提出过使用稠环芳族化合物作为有机发光器件用組分。例如，在日本专利申请公开No. 2006-256979、日本 专利申请公开No. 2006-52323、美国公开申请No. 2004/0076853、美 国专利No. 7， 101， 632和日本专利申请公开No. 2001-192652的每一篇 中，使用稠环芳族化合物作为有机发光器件用组分。例如，日本专利 申请公开No. 2006-256979公开了作为发光材料的通过用芳基胺在窟 骨架的5-和6-位进行取代而得到的篇衍生物。日本专利申请公开 No. 2006-52323公开了作为发光材料的篇的二聚体。另外，美国公开 申请No. 2004/0076853公开了未取代的这种化合物具有大的分子间 相互作用并且不适合用于发光材料中，但容易締合并因此适合用作笫二主体。另外，美国专利No.7，101，632和日本专利申请公开 No. 2001-192652均公开了作为发光材料的具有稠合多环基的三芳基 胺，并且均公开了茚并窟骨架作为稠合多环基的例子。另外，日本专 利No. 3, 731, 971公开了使用作为茚并篇骨架的结构异构体的萘并荧 蒽衍生物作为组分的有机发光器件。
技术实现思路
以解决相关现有技术的上述问题为目的而完成了本专利技术。本专利技术件。本专利技术的另一目的是提供能以相对低成本容易制备的有机发光器 件。本专利技术的专利技术人以解决上述问题为目的进行了广泛研究，并因此 完成了本专利技术。即本专利技术的茚并篇衍生物由以下的通式(1)表示其中Ri、 R2、 R3、 R" R5、议6、 R7、议8、 Rg、 Rio、 Rii、 Ru、 Ri3和Ri4自彼此独立地表示选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代 的烯基、取代或未取代的炔基、具有由烃组成的取代基或具有不饱和 键且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或未取代的杂 环基、取代或未取代的稠环多环芳族基和取代或未取代的稠合杂多环基的取代基，条件是Ri、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 Ru、 R12、 Rn和R"中的任一个表示选自具有由烃组成的取代基或具有不饱和键 且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或未取代的杂环 基、取代或未取代的稠合多环芳族基和取代或未取代的稠合杂多环基 的取代基。本专利技术的茚并篇衍生物具有较小的分子间相互作用，并具有高量 子产率。因此，根据本专利技术能提供具有高效率的光输出和高亮度并显 示出高耐久性的有机发光器件。由下面参照附图对示例性实施方案的说明，本专利技术的进一步的特 点将变得明了。附图说明图1为说明根据本专利技术第一实施方案的有机发光器件的截面图。图2为说明根据本专利技术第二实施方案的有机发光器件的截面图。 图3为说明根据本专利技术第三实施方案的有机发光器件的截面图。 图4为说明根据本专利技术第四实施方案的有机发光器件的截面图。 图5为说明根据本专利技术笫五实施方案的有机发光器件的截面图。 图6为表示示例化合物306的曱苯溶液(1. 0xl0-5mol/L)的PL 光镨的图示。图7为表示示例化合物607的甲苯溶液(1.0x10—5mol/L)的PL 光镨的图示。图8为表示示例化合物309的曱苯溶液(1. 0 x 1(Tmol/L )的PL 光镨的图示。图9为表示示例化合物701的曱苯溶液(1. 0 x 10—5mol/L )的PL 光镨的图示。具体实施例方式下文中将详细地说明本专利技术。 首先将说明本专利技术的茚并篇衍生物。 用通式(1)表示本专利技术的茚并篇衍生物。6通式(1)中，Rh R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R10、 Ru、 R12、 l和Rn各自彼此独立地表示选自氢原子、取代或未取代的烷基、取 代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、具有由烃组成的取代基或 具有不饱和键且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或 未取代的杂环基、取代或未取代的稠合多环芳族基和取代或未取代的 稠合杂多环基的取代基。但是，在本专利技术中，K、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 R1()、 Ru、 R12、 Ru和R14中的任一个表示选自具有由烃组成的取代基或具有不饱 和鍵且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或未取代的 杂环基、取代或未取代的稠合多环芳族基和取代或未取代的稠合杂多 环基的取代基。由Ri RH表示的烷基的例子包括，但当然不限于，甲基、乙基、 正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正癸基、异丙 基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔辛基、氟甲基、 二氟甲基、三氟甲基、2-氟乙基、2， 2， 2-三氟乙基、全氟乙基、3-氟丙基、全氟丙基、4-氟丁基、全氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基、氯 甲基、三氯甲基、2-氯乙基、2， 2， 2-三氯乙基、4-氯丁基、5-氟戊 基、6-氯己基、溴甲基、2-溴乙基、碘甲基、2-碘乙基、羟甲基、羟 乙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环戊基甲基、环己基甲基、 环己基乙基、4-氟环己基、降冰片基、金刚烷基、节基、2-苯基乙基、 2-苯基异丙基、l-萘基甲基、2-萘基甲基、2-(l-萘基)乙基、2-(2-萘基)乙基、9-蒽基甲基、2-(9-蒽基)乙基、2-氟节基、3-氟节基、 4-氟苄基、2-氯苄基、3-氯苄基、4-氯苄基、2-溴苄基、3-溴苄基和74-溴千基。由R, Rn表示的烯基的例子包括，但当然不限于，乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、l-丁烯基、2-丁烯基和3-丁烯基。由R,R"表示的炔基的例子包括，但当然不限于，乙炔基、l-丙 炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基和3-丁炔基。由R^Rh的任一个表示的芳基的例子包括，但当然不限于，苯基、 4-曱基苯基、4-乙基苯基、3， 5-二曱基苯基、2， 6-二乙基苯基、均 三甲苯基、4-叔丁基苯基、联苯基、4-吡啶基苯基。上述芳基特别优 选具有由烃组成的取代基或具有不饱和键且含有杂原子的取代基。本 文中使用的术语"由烃组成的取代基"是指取代基例如烷基例如甲基、 乙基或叔丁基;或芳基例如苯基。另外，本文中使用的术语"具有不 饱和键且含有杂原子的取代基"是指杂环基例如吡淀基。由R,Rw表示的杂环基的例子包括，但当然不限于，吡咬基、吡 咯基、联吡咬基、甲基吡啶基、嘧啶基、吡唤本文档来自技高网...

【技术保护点】
由通式（１）表示的茚并衍生物：　＊＊＊　（１）　其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］、Ｒ↓［９］、Ｒ↓［１０］、Ｒ↓［１１］、Ｒ↓［１２］、Ｒ↓［１３］和Ｒ↓［１４ ］各自彼此独立地表示选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、具有由烃组成的取代基或具有不饱和键且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的稠合多环芳族基和取代或未取代的稠合杂多环基的取代基，条件是Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］、Ｒ↓［９］、Ｒ↓［１０］、Ｒ↓［１１］、Ｒ↓［１２］、Ｒ↓［１３］和Ｒ↓［１４］中的任一个表示选自具有由烃组成的取代基或具有不饱和键且含有杂原子的取代基的芳基、未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的稠合多环芳族基和取代或未取代的稠合杂多环基的取代基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大类博挥，齐藤章人，根岸千花，岩脇洋伸，村椿方规，冈田伸二郎，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]