【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思总体上涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及具有电力输送网络(pdn)的集成电路器件。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，集成电路器件的小型化正在迅速进展。为了有效地将电力传输到具有高集成密度的集成电路器件，正在引入具有pdn的集成电路器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供集成电路器件，在该集成电路器件中具有能够可靠地将电力传输到其高度集成的元件的电力输送网络。
2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括在正面中的鳍型有源区域和在背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；接触插塞，在衬底上方；背面电力轨，至少部分填充衬底凹陷；以及过孔电力轨，电连接到接触插塞，过孔电力轨穿过隔离膜，并且连接到背面电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角。
3、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种集成电路器件，包括...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨相对于所述过孔电力轨的底表面的中心在平行于所述衬底的所述正面的水平方向上具有对称结构。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括朝向所述衬底和所述隔离膜凸出的弯曲的侧表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞连接到所述源/漏区。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述接触插塞和所述过孔电力轨上的过孔接触部，所述过孔接触部将所述接触插塞连接到所述过孔电力轨。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨相对于所述过孔电力轨的底表面的中心在平行于所述衬底的所述正面的水平方向上具有对称结构。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括朝向所述衬底和所述隔离膜凸出的弯曲的侧表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞连接到所述源/漏区。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述接触插塞和所述过孔电力轨上的过孔接触部，所述过孔接触部将所述接触插塞连接到所述过孔电力轨。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括楔形部分，所述楔形部分至少部分地填充限定在所述过孔电力轨与所述覆盖绝缘层的所述绝缘突出部之间的空间。
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，
9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述过孔电力轨从由所述覆盖绝缘层限定的空间延伸，并且延伸到所述背面电力轨中。
10.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨延伸到由所述覆盖绝缘层限定的空间中，并且连接到所述过孔电力轨。
11.一种集成电路...
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