【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思总体上涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及具有电力输送网络(pdn)的集成电路器件。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，集成电路器件的小型化正在迅速进展。为了有效地将电力传输到具有高集成密度的集成电路器件，正在引入具有pdn的集成电路器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供集成电路器件，在该集成电路器件中具有能够可靠地将电力传输到其高度集成的元件的电力输送网络。
2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括在正面中的鳍型有源区域和在背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；接触插塞，在衬底上方；背面电力轨，至少部分填充衬底凹陷；以及过孔电力轨，电连接到接触插塞，过孔电力轨穿过隔离膜，并且连接到背面电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角。
3、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括正面中的鳍型有源区域和背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；栅间绝缘层，在衬底上，并且围绕源/漏区(即，围绕源/漏区延伸)；接触插塞，穿过栅间绝缘层的至少一部分，并且连接到源/漏区；背面电力轨，至少部分地填充衬底凹陷；过孔电力轨，穿过栅间绝缘层的一部分和隔离膜，并且连接到背面电力轨；以及过孔接触部，在接触插塞和过
4、根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括正面中的鳍型有源区域和背面中的衬底凹陷，鳍型有源区域在平行于衬底的正面的第一水平方向上延伸；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；背面电力轨，至少部分地填充衬底凹陷，并且包括朝向衬底和隔离膜凸出的圆形的侧表面；多个栅电极，在鳍型有源区域上，并且在第二水平方向上彼此平行地延伸，第二水平方向与第一水平方向交叉(即，相交)；源/漏区，在鳍型有源区域上，并且在多个栅电极之中的在第一水平方向上彼此相邻的一对栅电极之间；栅间绝缘层，至少部分地填充多个栅电极之间的空间，并且围绕源/漏区；接触插塞，穿过栅间绝缘层的至少一部分，并且连接到源/漏区；过孔电力轨，穿过栅间绝缘层的一部分和隔离膜，并且连接到背面电力轨；覆盖绝缘层，围绕过孔电力轨；以及过孔接触部，在接触插塞和过孔电力轨上，并且将接触插塞连接到过孔电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角，并且背面电力轨包括在过孔电力轨和覆盖绝缘层之间延伸的楔形部分，并且相对于过孔电力轨的底表面的中心在水平方向上具有对称结构。
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1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨相对于所述过孔电力轨的底表面的中心在平行于所述衬底的所述正面的水平方向上具有对称结构。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括朝向所述衬底和所述隔离膜凸出的弯曲的侧表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞连接到所述源/漏区。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述接触插塞和所述过孔电力轨上的过孔接触部，所述过孔接触部将所述接触插塞连接到所述过孔电力轨。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括楔形部分，所述楔形部分至少部分地填充限定在所述过孔电力轨与所述覆盖绝缘层的所述绝缘突出部之间的空间。
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，
9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述过孔电力轨从由所述覆盖绝缘层限定的空间延伸，并且延伸到所述背面电力轨中。
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11.一种集成电路器件，包括：
12.根据权利要求11所述的集成电路器件，还包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述覆盖绝缘层包括在其底端处的绝缘突出部，所述绝缘突出部与所述过孔电力轨间隔开，并且具有锥形形状，所述锥形形状在平行于所述衬底的所述正面的方向上具有随着所述绝缘突出部朝向所述衬底延伸而减小的宽度。
14.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括楔形部分，所述楔形部分至少部分地填充限定在所述过孔电力轨与所述覆盖绝缘层的所述绝缘突出部之间的空间，所述楔形部分被配置为具有其水平宽度随着所述楔形部分远离所述衬底向上延伸而减小的锥形形状。
15.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中，
16.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨相对于所述过孔电力轨的底表面的中心在水平方向上具有对称结构，并且包括朝向所述衬底和所述隔离膜凸出的弯曲的侧表面。
17.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中，所述衬底的所述背面和所述背面电力轨的底表面在竖直方向上彼此共面。
18.一种集成电路器件，包括：
19.根据权利要求18所述的集成电路器件，其中，
20.根据权利要求18所述的集成电路器件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨相对于所述过孔电力轨的底表面的中心在平行于所述衬底的所述正面的水平方向上具有对称结构。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括朝向所述衬底和所述隔离膜凸出的弯曲的侧表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞连接到所述源/漏区。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述接触插塞和所述过孔电力轨上的过孔接触部，所述过孔接触部将所述接触插塞连接到所述过孔电力轨。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨包括楔形部分，所述楔形部分至少部分地填充限定在所述过孔电力轨与所述覆盖绝缘层的所述绝缘突出部之间的空间。
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，
9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述过孔电力轨从由所述覆盖绝缘层限定的空间延伸，并且延伸到所述背面电力轨中。
10.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述背面电力轨延伸到由所述覆盖绝缘层限定的空间中，并且连接到所述过孔电力轨。
11.一种集成电路...
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