【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种互补场效应管器件及其制备方法、逻辑电路及逻辑与非门、或非门电路。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称cmos)逻辑电路广泛应用在电子、物联网及通讯等领域，是半导体产业较为重要的逻辑电路。cmos逻辑电路中包括多个mos晶体管，mos晶体管由源极、漏极、栅极及沟道组成。
2、相关技术中，在优化逻辑电路的工艺设计时，通常要求缩减mos晶体管的占据面积以提升逻辑电路的器件密度。然而，当前尚未提出合理的方式，能够有效缩减mos晶体管的占据面积。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的不足之处，提供一种互补场效应管器件及其制备方法、逻辑电路及逻辑与非门、或非门电路。
2、本申请提供一种互补场效应管器件，包括：在垂直于衬底的方向上堆叠且互连的至少两层场效应管；其中，
3、有源层用于连接第一电源电压端的各所述场效应管位于最顶层，且所述有源层用...
【技术保护点】
1.一种互补场效应管器件，其特征在于，包括：在垂直于衬底的方向上堆叠且互连的至少两层场效应管；其中，
2.根据权利要求1所述的互补场效应管器件，其特征在于，所述至少两层场效应管包括位于最顶层的至少两个第一型场效应管，以及位于最底层的至少两个第二型场效应管；其中，
3.根据权利要求2所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2或3所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括第一金属图案；其中，
6.根据权利要求1所述的互补场效应管...
【技术特征摘要】
1.一种互补场效应管器件，其特征在于，包括：在垂直于衬底的方向上堆叠且互连的至少两层场效应管；其中，
2.根据权利要求1所述的互补场效应管器件，其特征在于，所述至少两层场效应管包括位于最顶层的至少两个第一型场效应管，以及位于最底层的至少两个第二型场效应管；其中，
3.根据权利要求2所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2或3所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括第一金属图案；其中，
6.根据权利要求1所述的互补场效应管器件，其特征在于，所述至少两层场效应管包括位于最顶层的至少两个第一型场效应管，以及位于最底层的至少两个第二型场效应管；其中，
7.根据权利要求6所述的互补场效应管器件，其特征在于，还包括设置于所述衬底一侧的绝缘层；其中，
8.根据权利要求7所述的互补场效应管器件，其特征在于，所述第二接触结构呈环状；
9.根据权利要求8所述的互补场效应管器件，其特征在于，位于所述第二型场效应管正上方的所述第一型场效应管和所述第二型场效应管共用同一所述栅极柱。
【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，余泳，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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