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本申请涉及一种互补场效应管器件及其制备方法、逻辑电路及逻辑与非门、或非门电路。所述互补场效应管器件包括在垂直于衬底的方向上堆叠且互连的至少两层场效应管；其中，有源层用于连接第一电源电压端的各场效应管位于最顶层，且有源层用于连接第一电源电压端...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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