一种降低短路电流的SiC器件及制备方法技术

一种降低短路电流的SiC器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在SiC Sub层的顶面沉积形成SiC Drift层，并在SiC Drift层顶面注入形成P区；S200，在SiC Drift层的顶面沉积形成SiC Epi层，并在SiC Epi层内依次注入形成Pwell区、NP区和PP区；S300，在SiC Epi层的顶面依次形成栅氧化层、Poly层和隔离介质层；S400，在NP区和PP区的顶面形成欧姆接触合金层；S500，在器件上方金属溅射形成正面电极金属层。本发明专利技术在SiC MOSFET器件中通过在SiC Drift层的JFET底部形成P区，在器件工作在饱和区时，P区与Pwell区和SiC Drift层形成的耗尽层会相互连接，从而更好的屏蔽短路电流，降低器件在短路时的温升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种降低短路电流的sic器件及制备方法。

技术介绍

1、sic作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，其具有着诸多显著的物理特性优势，例如禁带宽度大、临界击穿电场高、本征载流子浓度小、饱和漂移速度快、熔点高、热导率高等，这些材料特性使得sic制备的功率器件可以以小尺寸、薄厚度实现大击穿电压、低导通损耗、高开关频率等性能优势，在高压、高温、高频、高辐照等应用领域具有着巨大优势。目前sic mosfet已被市场上大规模使用，以替代si igbt等器件。

2、sic mosfet器件在门极开启正常工作时，分为线性区和饱和区两个区间，其中器件发生短路时就是工作在饱和区。相比于siigbt，sic mosfet器件的短路能力很差，其短路耐受时间大概只有3us左右，在短路时器件温升会快速提升，极易烧毁器件，因此一直以来sic mosfet的短路特性都要在设计初期就充分考量，避免在系统端发生故障。因此研发一款降低sic mosfet器件在饱和区的短路电流，实现器件更高的短路能力，提高器件的安全稳定使用是目前亟需解决的技术问题。...

【技术保护点】

1.一种降低短路电流的SiC器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的SiC器件制备方法，其特征在于，步骤S100中SiC Drift层（2）厚度为5um-20um，掺杂浓度为1E15-5E16cm-2。

3.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的SiC器件制备方法，其特征在于，步骤S100中 P区（3）底面距SiC Drift层（2）顶面深度为0.3um-0.5um，掺杂浓度为1E17-3E18cm-2。

4.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的SiC器件制备方法，其特征在于，步骤S200中SiC Epi层...

【技术特征摘要】

1.一种降低短路电流的sic器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的sic器件制备方法，其特征在于，步骤s100中sic drift层（2）厚度为5um-20um，掺杂浓度为1e15-5e16cm-2。

3.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的sic器件制备方法，其特征在于，步骤s100中 p区（3）底面距sic drift层（2）顶面深度为0.3um-0.5um，掺杂浓度为1e17-3e18cm-2。

4.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的sic器件制备方法，其特征在于，步骤s200中sic epi层（4）厚度为1.5um-3um，掺杂浓度为1e15-1e17cm-2。

5.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的sic器件制备方法，其特征在于，步骤s200中pwell区（5）底面距sic epi层（4）顶面深度为0.4um-1.5um，掺杂浓度为1e17-3e18cm-2。

6.根据权利要求1所述的一种降低短路电流的sic器件制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正，杨程，裘俊庆，万胜堂，王坤，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：