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一种降低短路电流的SiC器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在SiC Sub层的顶面沉积形成SiC Drift层，并在SiC Drift层顶面注入形成P区；S200，在SiC Drift层的顶面沉积形成SiC Epi...
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