【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电子器件参数测试领域，具体为一种单结晶体管分压比测试电路。
技术介绍
1、单结晶体管又称双基极二极管，是一种内部只有一个pn结，有三个引出端子与外部连接的半导体器件。它的内部有一个条状基片，为高阻n型硅片。基片两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个p区作为发射极e。
2、单结晶体管具有负阻特性，被广泛应用于电子器件和集成电路中。主要用于晶闸管的触发电路、锯齿波发生器、阶梯波发生器等电路中。
3、分压比是单结晶体管的重要参数，决定单结晶体管能否工作在负阻区，能否发挥其重要的负阻作用。
4、单结晶体管的分压比为：
5、
6、其中rb1和rb2分别为单结晶体管内部第一基极和第二基极等效电阻。
7、如果电路发生故障，根据单结晶体管的分压比确定的峰点电压与其他处电压的大小比较，可以判断单结晶体管电路故障产生的原因。
8、目前使用单结晶体管时，往往需要通过标记的型号，查找参数表确定单结晶体管的分压比。
<...【技术保护点】
1.一种单结晶体管分压比测试电路，其特征在于：包括直流电源E、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、二极管VD、可调电阻RP1、按钮SB及微安表；
2.根据权利要求1所述的一种单结晶体管分压比测试电路，其特征在于：第一电阻R1取50kΩ，第二电阻R2取10kΩ，电位器取50kΩ，第一电容C1取1uF，第二电容C2取0.1uF。
【技术特征摘要】
1.一种单结晶体管分压比测试电路，其特征在于：包括直流电源e、第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2、二极管vd、可调电阻rp1、按钮sb及微安表；
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