光学薄膜、及其制造方法技术

本发明专利技术涉及含有特定结构的聚酯的光学薄膜及其制造方法。进而，本发明专利技术涉及使用了所述光学薄膜的光学层叠体、偏振板、图像显示装置。所述聚酯优选双酚和芳香族二羧酸的缩聚物，进而优选不具有卤素原子。所述聚酯的向溶剂的溶解性高，因此，本发明专利技术的光学薄膜的生产率高且能够降低生产时的环境负荷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用于液晶显示装置的光学补偿等的光学薄膜、及包含该 光学薄膜的光学层叠体、及其制造方法。进而，本专利技术涉及使用了这些光学薄膜及/或光学层叠体的偏振板、及液晶显示装置、有机EL显示装置、 PDP等图像显示装置。
技术介绍
以往以来，以液晶显示装置的光学补偿等为目的，使用具有双折射的 聚合物材料。作为这样的光学补偿材料，例如，广泛使用拉伸塑料薄膜等 而赋予双折射的材料。另外，近年来，开发了将芳香族聚酰亚胺或芳香族 聚酯等高双折射显示性聚合物涂敷于基材上的光学补偿材料(例如，参照 专利文献1、 2)。这样的芳香族聚合物具有耐热性或机械强度优越的特征，另一方面， 具有缺乏相对于有机溶剂的溶解性的倾向。因此，以芳香族聚合物为主成 分的光学薄膜通常通过将该聚合物溶解于极性高即溶解性高的溶剂中，形 成为溶液后，将该溶液涂敷于金属鼓或金属带或基材薄膜等上，将其干燥 而制膜。然而，在这样的制膜方法中，能够溶解该聚合物的溶剂的选项受 到限制，因此，有时干燥条件受到限制，或需要高价的设备。另外，要求 使用于涂敷的基材不溶解于溶剂，因此，能够使用的基材受到限制。从这 样的观点来说，寻求可溶于甲苯等极性低的溶剂中，且具备可作为光学补 偿材料发挥功能的双折射显示性的聚合物的开发。专利文献1W094/24191国际公开手册专利文献2日本特开2004—070329号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供含有溶解性高的芳香族聚合物的。进而，本专利技术的目的在于提供使用了所述光学薄膜的光学层 叠体、偏振板、及图像显示装置。本申请专利技术人等经过专心致志的研究的结果，发现通过含有特定结构 的聚酯的光学薄膜来能够解决所述问题的事实，完成了本专利技术。即，本发 明涉及一种光学薄膜，其中，含有具有由下述通式(I)表示的重复单元的酯系聚合物，化1—…〈1)A及B分别表示取代基，a及b表示对应的A及B的取代数(0 4 的整数)，A及B分别独立表示氢、卤素、碳原子数1 6的垸基、或取代或未 取代的芳基，D表示选自由共价键、CH2基、C (CH3) 2基、C (CZ3) 2基(在此， Z为卣素)、CO基、O原子、S原子、S02基、Si (CH2CH3) 2基、及N (CH3)基构成的组的至少一种原子或基团，Rl及R2表示碳原子数1 10的直链或支链的垸基、取代或未取代的方基，R3 R6分别独立表示氢原子、卤素原子、碳原子数1 6的直链或支 链的烷基、碳原子数5 10的环垸基、或取代或未取代的芳基(其中，R3 R6中至少一个为氢原子)，pl表示0 3的整数，p2表示1 3的整数，n表示2以上的整数。在本专利技术的光学薄膜中，优选所述通式(I)中的Rl为甲基，且R2 为碳原子数2 4的直链或支链的烷基。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选在所述通式(I)中，R3及R5 为碳原子数1 4的直链或支链的烷基，且R4及R6为氢原子或碳原子数 1 4的直链或支链的烷基。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选所述酯系聚合物为在化学结构中不具有卤素原子的非卤化酯系聚合物。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选所述酯系聚合物可溶于甲苯或醋 酸乙酯。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选波长在400nm下的透过率为90%以上。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选厚度为20^im以下。进而，在本专利技术的光学薄膜中，优选薄膜厚度方向的折射率(nz)比 薄膜面内的折射率的最大值(nx)小。进而，本专利技术涉及一种光学层叠体，其是所述的光学薄膜和聚合物基 材密接层叠而成的。进而，本专利技术涉及一种偏振板，其中，包含所述的光学薄膜或所述 光学层叠体、和偏振片。进而，本专利技术涉及一种图像显示装置，其中，包含所述的光学薄膜或所述光学层叠体、和偏振板的至少一个。另外，本专利技术涉及一种光学薄膜的制造方法，其是所述的光学薄膜的制造方法，其中，包括配制含有由所述通式(I)表示的酯系聚合物、和溶剂的溶液的工序；及将该溶液涂敷于聚合物基材的表面后进行干燥，形成密接层叠在该聚 合物基材上的薄膜的工序。进而，本专利技术涉及一种光学层叠体的制造方法，其是所述的光学层叠 体的制造方法，其中，包括-配制含有由所述通式(I)表示的酯系聚合物、和溶剂的溶液的工序；及将该溶液涂敷于基材的表面，进行干燥后形成密接层叠在该基材上的 薄膜的工序；及将该光学薄膜转印于其他聚合物基材的工序。附图说明图1是表示本申请专利技术的偏振板的结构剖面的一例的概念图。图2是表示本申请专利技术的偏振板的结构剖面的一例的概念图。 图3是表示本申请专利技术的偏振板的结构剖面的一例的概念图。图4是表示本申请专利技术的偏振板的结构剖面的一例的概念图。 图中P—偏振片；R—光学薄膜；T—透明保护薄膜；S —基材;光学层叠体。1 —具体实施例方式本专利技术的光学薄膜，其特征在于，含有具有由下述通式(I)表示的 重复单元的酯系聚合物，化2RS、 — .R3 n—…(I)>_… … J nA及B分别表示取代基，a及b表示对应的A及B的取代数(0 4 的整数)。A及B分别独立表示氢、卤素、碳原子数1 6的垸基、或取代 或未取代的芳基。D表示选自由共价键、CH2基、C (CH3) 2基、C (CZ3) 2基(在此，Z为茵素)、CO基、O原子、S原子、S02基、Si (CH2CH3) 2基、及N (CH3)基构成的组的至少一种原子或基团。Rl及R2表示碳原 子数1 10的直链或支链的烷基、取代或未取代的芳基。R3 R6分别独 立表示氢原子、卤素原子、碳原子数1 6的直链或支链的烷基、碳原子 数5 10的环烷基、或取代或未取代的芳基(其中，R3 R6中至少一个 为氢原子)。pl表示0 3的整数，p2表示l 3的整数。n表示2以上的在所述A、 B、 R1 R6为未取代芳基的情况下，作为所述未取代芳基， 例如，可以举出苯基、联苯基、联三苯基、萘基、联萘基、三苯基苯基等。 另外，在所述A、 B、 Rl、 R2为取代芳基的情况下，所述未取代芳基的氢 原子中一个以上可以被碳原子数1 10的直链或支链的垸基、碳原子数 1 10的直链或支链的烷氧基、硝基、氨基、甲硅烷基、卤素、卤化垸基、 苯基取代。另外，作为R1 R6为卤素原子的情况下的卤素原子、及所述 卤素(Z)，可以举出氟、氯、溴、碘等。另外，在R3 R6为碳原子数5 10的环垸基的情况下，在环上具有1或2个以上碳原子数1 5的直链或 支链的烷基也可。具体来说，作为环烷基，可以举出环戊基、环己基、环 庚基、环辛基、环壬基、环癸基、或在这些环上具有正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等取代基的碳原子数5 10的环烷基。其中，优选环己基。在上述通式(I)中，R1及R2优选分别独立地为碳原子数1 4的直 链或支链的垸基，其中，优选R1为甲基，R2为碳原子数2 4的直链或 支链的烷基，R2尤其优选乙基或异丁基。若Rl及/或R2的垸基的碳原子 数过多，则有时折射率的显示性降低，或耐热性(玻璃化温度)降低。另 外，R1及R2的碳原子数过少，则有时相对于溶剂的溶解性差。另外，在上述通式(I)中，R3 R6优选分别独立地为氢原子、碳原 子数1 4的直链或支链的烷基(其中，R3 R6中至少任一个不是氢原子)， 其中，优选R3 R6均为碳原子数1 4的直链或支链的垸基，尤其，优选 R3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学薄膜，其中，　含有：具有由下述通式（Ⅰ）表示的重复单元的酯系聚合物，　＊＊＊　…（Ⅰ）　Ａ及Ｂ分别表示取代基，ａ及ｂ表示对应的Ａ及Ｂ的取代数且为０～４的整数，　Ａ及Ｂ分别独立表示氢、卤素、碳原子数１～６的烷 基或者取代或未取代的芳基，　Ｄ表示选自由共价键、ＣＨ↓［２］基、Ｃ（ＣＨ↓［３］）↓［２］基、Ｃ（ＣＺ↓［３］）↓［２］基、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ↓［２］基、Ｓｉ（ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［３］）↓［２］基以及Ｎ（ＣＨ↓［３］）基构成 的组的至少一种原子或基团，其中，Ｚ为卤素，　Ｒ１及Ｒ２表示碳原子数１～１０的直链或支链的烷基、取代或未取代的芳基，　Ｒ３～Ｒ６分别独立表示氢原子、卤素原子、碳原子数１～６的直链或支链的烷基、碳原子数５～１０的环烷基或者取代或未取 代的芳基，其中，Ｒ３～Ｒ６中至少一个不是氢原子，　ｐ１表示０～３的整数，ｐ２表示１～３的整数，　ｎ表示２以上的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平山智之，饭田敏行，大森裕，黑木美由纪，清水永惠，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]