中压器件ESD防护结构制造技术

本发明专利技术提供一种中压器件ESD防护结构，所述结构包括：衬底，所述衬底内形成有高压N阱区；中压P阱区，所述中压P阱区形成于所述高压N阱区内；至少两个栅极结构，所述栅极结构形成于所述衬底的表面；漏区，所述漏区形成于所述中压P阱区内且位于相邻两所述栅极结构之间；源区，所述源区形成于所述中压P阱区内且位于各所述栅极结构远离所述漏区的一侧；其中，所述漏区被沿其长度方向延伸的至少一个隔离结构分割成小区域，且所述隔离结构位于相邻的两栅极结构之间。通过本发明专利技术解决了现有的中压器件ESD均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种中压器件esd防护结构。

技术介绍

1、oled属于电流驱动型，其电流密度依赖于两端的驱动电压，电压越高、电流密度越大。在长时间的使用过程中，oled器件本身会老化，电压、电流密度、发光亮度之间的关系不一直保持恒定。oled器件的老化，最直接的表现就是oled开启电压的上升以及发光效率的降低。而为维持相同的发光亮度，就必须增加流过的oled电流，所以在oled中需要高压器件来实现大电流的功能。28hv mg技术中，需要融合低压sram和高压驱动器件，而高压驱动器件的栅极需要厚的栅氧化硅，而厚的栅氧化层会影响金属栅极(metal gate)后续工艺。为了与金属栅极技术兼容，会对高压区域(hv)进行有源区的回刻(recess)，然后生长厚栅氧化硅，使其与有源区高度尽量一致，以便于后续工艺开发。

2、28纳米工艺的中压器件(mv 8.0v)使用场区域双扩散工艺结构，结构中源漏极都是常规的有源区，当作为esd器件使用时，28hv mv器件由于尺寸大，中心指状物(finger)的寄生bjt的基极电阻最大，因此，在e本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中压器件ESD防护结构，其特征在于，所述结构包括：

2.根据权利要求1所述的中压器件ESD防护结构，其特征在于，所述隔离结构的长度的取值范围包括0.5um～1.2um，其宽度的取值范围包括0.07～0.11um，其中，所述隔离结构的长度方向为所述漏区的长度方向，其宽度方向为所述漏区的宽度方向。

3.根据权利要求1所述的中压器件ESD防护结构，其特征在于，所述隔离结构是通过于所述衬底内形成沟槽，并于所述沟槽内填充氧化硅而形成的。

4.根据权利要求3所述的中压器件ESD防护结构，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述漏区的离子注入的深度。

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【技术特征摘要】

1.一种中压器件esd防护结构，其特征在于，所述结构包括：

2.根据权利要求1所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述隔离结构的长度的取值范围包括0.5um～1.2um，其宽度的取值范围包括0.07～0.11um，其中，所述隔离结构的长度方向为所述漏区的长度方向，其宽度方向为所述漏区的宽度方向。

3.根据权利要求1所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述隔离结构是通过于所述衬底内形成沟槽，并于所述沟槽内填充氧化硅而形成的。

4.根据权利要求3所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述漏区的离子注入的深度。

5.根据权利要求4所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述沟槽的深度的取值范围包括180nm～220nm。

6.根据权利要求1所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述隔离结构的数目为多个，且多个所述隔离结构沿着所述漏区的宽度方向间隔排列。

7.根据权利要求1所述的中压器件esd防护结构，其特征在于，所述漏区及所述源区为n型掺杂。

8.根据权利要求1所述的中压器件e...

【专利技术属性】
技术研发人员：田志，殷永和，陈昊瑜，邵华，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：