【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成半导体领域，尤其涉及一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)通常采用一个晶体管和一个电容(1t1c)的结构作为芯片的存储单元。但是，自下而上制备的dram的bl结构有较大的寄生电容。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，可以降低bl结构的寄生电容，有利于器件性能的优化。
2、第一方面，本申请实施例提供一种存储器的制备方法，该方法包括：在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，第一材料层的掺杂浓度和第二材料层的掺杂浓度不同；在字线wl区域刻蚀第一材料层和第二材料层，以形成半导体结构和位线bl结构；在wl区域内的bl结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层；倒片并去除衬底，以暴露半导体结构；在bl区域内刻蚀半导体结构，以形成有源结构；基于有源结构，形成存储器，bl结构作为存储器中的晶体管的源漏结构。
3、在一种...
【技术保护点】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在字线WL区域刻蚀所述第一材料层和所述第二材料层，以形成半导体结构和位线BL结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述WL区域内的所述BL结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述有源结构，形成存储器，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述有源结构，形成晶体管，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在字线wl区域刻蚀所述第一材料层和所述第二材料层，以形成半导体结构和位线bl结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述wl区域内的所述bl结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述有源结构，形成存储器，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述有源结构，形成晶体管，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅电极层和环绕所述栅电极层的栅介质层，所述栅电极层的高度低于所述栅介质层的高度；
7.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成有源结构，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述...
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