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本发明提供一种中压器件ESD防护结构，所述结构包括：衬底，所述衬底内形成有高压N阱区；中压P阱区，所述中压P阱区形成于所述高压N阱区内；至少两个栅极结构，所述栅极结构形成于所述衬底的表面；漏区，所述漏区形成于所述中压P阱区内且位于相邻两所述...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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