半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号:44174911 阅读:21 留言:0更新日期:2025-02-06 18:20
提供能够实现数据读出的高速化的半导体存储装置。半导体存储装置具备:读出放大器单元,具有第一锁存电路及第二锁存电路;以及第三锁存电路,与读出放大器单元电连接。根据第一指令集,执行第一读出动作,根据第二指令集,执行第二读出动作。当在第一定时输入了第二指令集的情况下,执行第一数据传输动作。当在比第一定时靠前的第二定时输入了第二指令集的情况下,执行第二数据传输动作。第一数据传输动作根据第一读出动作将第一锁存电路的数据传输至第二锁存电路,将第二锁存电路的数据传输至第三锁存电路。第二数据传输动作根据第一读出动作将第一锁存电路的数据传输至第三锁存电路。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及半导体存储装置


技术介绍

1、已知一种半导体存储装置,具备存储串和与存储串电连接的多个第一布线,存储串具备被串联连接的多个存储器晶体管,这些多个存储器晶体管的栅极电极与上述多个第一布线连接。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本特开2023-12706号公报

5、[专利文献2]日本特开2022-174874号公报


技术实现思路

1、提供能够实现数据读出的高速化的半导体存储装置。

2、一个实施方式的半导体存储装置具备:存储串,具有被串联连接的多个存储晶体管;位线,连接于存储串;读出放大器单元,连接于位线,且具有第一锁存电路及第二锁存电路;以及第三锁存电路,与读出放大器单元电连接。根据第一指令集,执行第一读出动作,根据第二指令集,在第一读出动作之后连续执行第二读出动作。当在第一定时输入了第二指令集的情况下,执行第一数据传输动作。当在比第一定时靠前的第二定时输入了第二指令集的情况下,执行第二数据传输动作。第一数据传本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

8.一种半导体存储装置,具备:

9.一种半导体存储装置,具备:

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置,其中,

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

8.一种半导体存储装置,具备:

9.一种半导体存储装置,具备:

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置,其中,

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【专利技术属性】
技术研发人员:原田佳和菅原昭雄
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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